Wechselstrom gab Fototransistor-Optokoppler-Elektronik-Teiltransistor H11AA1M ein
power mosfet ic
,silicon power transistors
H11AA1M, H11AA2M, H11AA3M, H11AA4M
Wechselstrom gaben/Fototransistor-Optokoppler ein
Eigenschaften
■Zweipoliger Emitterinput
■Eingebauter Rückpolaritätseingangsschutz
■Versicherer-Labor (UL) erkannte Datei #E90700, Volumen 2
■Vde genehmigte Datei #102497 (Einrichtungswahl ‚V ")
Anwendungen
■WechselstromLeitungsmonitor
■Unbekannter Polarität DC-Sensor
■Telefonleitung Schnittstelle
Beschreibung
Die H11AAXM-Reihe besteht aus Galliumarsenid zwei
infrarotemittierende Dioden angeschlossen in der umgekehrten Ähnlichkeit
Fahren eines einzelnen Silikonfototransistorertrages.
Absolute Maximalleistungen
(TA =25°C wenn nicht anders angegeben)
Die Drücke, welche die absoluten Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Das Gerät arbeitet möglicherweise nicht, oder, über den empfohlenen Betriebsbedingungen und der Betonung der Teile zu diesen Niveaus funktionell zu sein wird nicht empfohlen. Darüber hinaus ausgedehnte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit. Die absoluten Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen.
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