PNP-Silikon-Transistor-universelle zugeschaltete Anwendung BC856BLT3G
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 100 MHz 300 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
-80V
Kollektor-Emitter-Spannung:
-65V
Emitter-Basisspannung:
-5V
Kollektorstrom (DC):
-100 MA
Kollektorverlustleistung:
310 mW
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
150 Grad
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
BC856/857/858/859/860
Schaltungs-und Verstärker-Anwendungen
• Passend für automatische Einfügung in den starken und Dünnschichtschaltungen
• Lärmarm: BC859, BC860
• Ergänzung zu BC846… BC850
Typische Eigenschaften
|
Symbol |
Parameter | Wert | Einheiten |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | -5 | V |
| IC | Kollektorstrom (DC) | -100 | MA |
| PC | Kollektor-Verlustleistung | 310 | mW |
| TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | °C |
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