N-Kanal 20V PowerTrench-Energie Mosfet-Transistor FDV305N
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 des N-Kanal-20 V 900mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
20 V
Tor-Quellspannung:
± 12 V
Höchstleistungs-Ableitung:
0,35 W
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke:
– °C 55 bis +150
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend:
357 °C/W
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
FDV305N
N-Kanal 20V PowerTrench- MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal 20V MOSFET verwendet Fairchild Hochspannungs-PowerTrench-Prozess. Er ist für Energiemanagementanwendungen optimiert worden.
Anwendungen
• Lastsschalter
• Batterieschutz
• Energiemanagement
Eigenschaften
• 0,9 A, 20 V
MΩ 220 RDS (AN) = @ VGS = 4,5 V
MΩ 300 RDS (AN) = @ VGS = 2,5 V
• Niedrige Torgebühr
• Schnelle Schaltverzögerung
• Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Parameter | Bewertungen | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 12 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochenes 0,9 A ab – Pulsiert |
0,9 2 |
|
| PD | Höchstleistungs-Ableitung | 0,35 | W |
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