Transistor (Npn) für allgemeine Af-Anwendungen, hoher Kollektorstrom Bc817-40
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
50 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
45 V
Emitter-Basisspannung:
5 V
Kollektorstrom - ununterbrochen:
0,5 A
Kollektorverlustleistung:
0,3 W
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
NPN-Silikon AF-Transistor
• Für allgemeine AF-Anwendungen
• Hoher Kollektorstrom
• Hohe Stromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
• Ergänzende Arten: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• Pb-freie (RoHS konform) package1)
• Qualifiziert, EGZ Q101 übereinstimmend
MAXIMALLEISTUNGEN (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Parameter | Wert | Einheiten |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 50 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 45 | V |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | 5 | V |
| IC | Kollektorstrom - ununterbrochen | 0,5 | |
| PC | Kollektor-Verlustleistung | 0,3 | W |
| Tj | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
| Tstg | Lagertemperatur | -55-150 | ℃ |
Typische Eigenschaften
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