Ergänzende Silikon-Energie Ttransistors BD139
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1,5 A W 1,25 durch Loch SOT-32-3
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
80V
Kollektor-Emitter-Spannung:
80V
Emitter-Basisspannung:
5V
Kollektorstrom:
1.5A
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
Ergänzende Silikon-Energie Ttransistors BD139/BD140
BESCHREIBUNG
Es intented für Gebrauch im Endverstärker und in zugeschalteten Anwendungen.
| Parameter | L | Wert | Einheit |
| Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | 80 | V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 80 | V |
| Emitter-Basis-Spannung | VEBO | 5 | V |
| Kollektorstrom | IC | 1,5 | |
| Niedriger Strom | IB | 0,5 | |
| Gesamtableitung an | Ptot | 12,5 | W |
| Grenzschichttemperatur Max. Operating | Tj | 150 | OC |
| Lagertemperatur | Tstg | -55~150oC | OC |
| Parameter | Symbol | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| Kollektor-Sperrstrom | ICEO | VCB =80V, IE =0 | -- | -- | 10 | MA |
| Emitter-Sperrstrom | IEBO | VEB =5V, IC =0 | -- | -- | 10 | MA |
| Kollektor-Emitter Stützungsspannung | VCEO | IC =30MA, IB =0 | 80 | -- | -- | V |
| Gleichstromverstärkung |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V, IC =0.5A VCE =2V, IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
| Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung | VCE (saß) | IC =0.5A, IB =50MA | -- | -- | 0,5 | V |
| Grundsender-Sättigungs-Spannung | VBE (saß) | VCE =2V, IC =0.5A | -- | -- | 1,0 | V |
| Stromverstärkungs-Bandbreiten-Produkt | fT | VCE =10V, IC =500MA | 3 | -- | -- | MHZ |
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