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Haus > produits > elektronische IC-Chips > Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A

Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A

Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A
Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Berg 8-VSONP (5x6) der Oberflächen-
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-zu-Quellspannung:
100 V
Tor-Gebührensumme (10 V):
27 nC
Tor-Gebührentor zum abzulassen:
4,9 nC
Abfluss-zu-Quelle auf Widerstand:
mΩ 8,7
Schwellen-Spannung:
2,8 V
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Einleitung

EIGENSCHAFTEN

• Ultra-niedriges Qg und Qgd

• Niedriger thermischer Widerstand

• Lawine veranschlagt

• Pb-freier Terminalüberzug

• RoHS konform

• Halogen frei

• SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket

ANWENDUNGEN

• Primärseitentelekommunikation

• Sekundärsynchroner Seitengleichrichter

• Motorsteuerung

BESCHREIBUNG

Dieses 100 V, 7,8 mΩ, SOHN 5 Millimeter x 6 Millimeter NexFET™

Energie MOSFET ist entworfen, um Verluste herein herabzusetzen

Energieaufbereitungsanwendungen.

Q5A-Band-und -spulen-Informationen

Anmerkungen:

1. kumulative Toleranz ±0.2 der Lochneigung 10-sprocket

2. Krümmen Sie, sich um 1 Millimeter in 100 Millimeter, nichtkumulative über 250 Millimeter nicht zu übersteigen

3. Material: schwarzes statisch-zerstreuendes Polystyren

4. Alle Maße sind in Millimeter (wenn nicht anders angegeben)

5. A0 und B0 maßen auf einer Fläche 0,3 Millimeter über der Unterseite der Tasche

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