Energie 20V Mosfet-Transistor-N-Kanal PowerTrench MOSFET FDV305N
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 des N-Kanal-20 V 900mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
20 V
Tor-Quellspannung:
± 12 V
Höchstleistungs-Ableitung:
0,35 W
Eingangsstrom:
±5 MA
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke:
– °C 55 bis +150
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
PowerTrench- MOSFET N-Kanal FDV305N 20V
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal 20V MOSFET verwendet Fairchild Hochspannungs-PowerTrench-Prozess. Er ist für Energiemanagementanwendungen optimiert worden.
Anwendungen
• Lastsschalter
• Batterieschutz
• Energiemanagement
Eigenschaften
• 0,9 A, 20 V
MΩ 220 RDS (AN) = @ VGS = 4,5 V
MΩ 300 RDS (AN) = @ VGS = 2,5 V
• Niedrige Torgebühr
• Schnelle Schaltverzögerung
• Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Parameter | Bewertungen | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 12 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochen ab – Pulsiert |
0,9 2 |
|
| PD | Höchstleistungs-Ableitung | 0,35 | W |
| TJ, TSTG | Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | – 55 bis +150 | °C |
VERWANDTE PRODUKTE
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
5pcs