100V 80A, Energie 9mз Mosfet-Transistor qualifiziert zu Fähigkeit FDB3632 EGZ Q101 UIS
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 100 V 12A (Ta), 310W (Tc) Berg D der Oberflächen-80A (Tc) ² PAK (TO-263)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Lassen Sie zur Quellspannung ab:
100 V
Tor zur Quellspannung:
±20 V
Ununterbrochen (T 80 Wechselstrom < 111oC, VGS = 10V):
80 A
Ununterbrochen (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W):
12 A
Einzelimpuls-Lawinen-Energie (Anmerkung 1):
393 mJ
Verlustleistung:
310 w
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
FDB3632/FDP3632/FDI3632
N-Kanal PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ
Eigenschaften
• RDS (AN) = 7.5mΩ (Art.), VGS = 10V, Identifikation = 80A
• Qg (Knirps) = 84nC (Art.), VGS = 10V
• Niedriger Miller Charge
• Niedrige QRR-Körper-Diode
• UIS-Fähigkeit (Einzelimpuls und sich wiederholender Impuls)
• Früher qualifiziert zu Entwicklungsart 82784 EGZ Q101
Anwendungen
• DC-/DCkonverter und Offline-UPS
• Verteilte Energie Architektur und VRMs
• Primärschalter für Systeme 24V und 48V
• Synchroner Hochspannungsgleichrichter
• Direkteinspritzung/Dieseleinspritzungs-Systeme
• Automobillaststeuerung 42V
• Elektronenröhre-Zug-Systeme
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