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8 ein Wiederaufnahme-Dioden-Energie Mosfet-Transistor HFA08TB60 HEXFRED ultraschneller weicher

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Diode 600 V 8A Durchgangsloch TO-220AC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
vr:
600 V
VF bei 8 A bei °C 25:
1,7 V
WENN (HANDELS):
8 A
trr (typisch):
18 ns
TJ (Maximum):
150 Grad
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

EIGENSCHAFTEN

• Ultraschnelle Wiederaufnahme

• Ultrasoft Wiederaufnahme

• niedriges IRRM

• niedriges Qrr

• Spezifiziert an Betriebsbedingungen

• Entworfen und für industrielles Niveau qualifiziert

NUTZEN

• Verringerte HF-Störung und EMS

• Verringerter Leistungsabfall in der Diode und im Schalttransistor

• Höhere Frequenzoperation

• Verringertes Brüskieren

• Verringerte Teile zählen

BESCHREIBUNG

HFA08TB60 ist eine hochmoderne ultraschnelle Wiederaufnahmediode. Das späteste im Epitaxial- Bau und in modernen Verfahrenstechniken einsetzend, kennzeichnet es eine großartige Kombination von Eigenschaften, die Ergebnis in der Leistung, die durch jeden möglichen verfügbaren Gleichrichter vorher unübertroffen ist. Mit grundlegenden Bewertungen von 600 V und von 8 ist ein stationärer Gleichstrom, das HFA08TB60 für Gebrauch als die Begleiterdiode für IGBTs und MOSFETs besonders gut angepasst. Zusätzlich zur ultraschnellen Genesungszeit kennzeichnet die HEXFRED®-Produktserie extrem - niedrige Werte des Höchstwiederaufnahmestroms (IRRM) und weist keine Tendenz „zum Verschluss-weg“ während des TB-Teils der Wiederaufnahme auf. Die HEXFRED-Eigenschaften kombinieren, um Designern einen Gleichrichter mit den lärmärmeren und erheblich niedrigeren zugeschalteten Verlusten in der Diode und im Schalttransistor anzubieten. Diese HEXFRED-Vorteile können helfen, das Brüskieren erheblich zu verringern, Teilzählung und Kühlkörpergrößen. Das HEXFRED HFA08TB60 wird ideal für Anwendungen in der Stromversorgung und Energieaufbereitungssysteme (wie Inverter), Motorantriebe entsprochen, und viele anderen ähnlichen Anwendungen, in denen Hochgeschwindigkeits, hohe Leistungsfähigkeit, ist erforderlich.

PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG
VR 600 V
VF bei 8 A bei °C 25 1,7 V
F (HANDELS) 8 A
trr (typisch) 18 ns
TJ (Maximum) °C 150
Qrr (typisch) 65 nC
Di (rec) M/dt (typisch) 240 A/µs

Ultraschnelle weiche Wiederaufnahme-Diode, 8 A

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Bild Teil # Beschreibung
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