Ultra niedriger Energie MOSFET-P-Kanal MOSFET SOT-23 des Auf-Widerstand-HEXFET Abdruck-schnelle Schaltung IRLML6402TRPBF
power mosfet ic
,silicon power transistors
?????? HEXFET? Energie MOSFET T
* ultra niedriger Auf-Widerstand
* P-Kanal MOSFET
* Abdruck SOT-23
* Zurückhaltung (<1>
* verfügbar im Band und in der Spule
* schnelle Schaltung?????
Diese P-Kanal MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedriges onresistance pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET®-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch im Batterie- und Lastsmanagement.
Ein thermisch erhöhtes großes Auflage leadframe ist in das Standard-Paket SOT-23 enthalten worden, um einen HEXFET-Energie MOSFET mit dem kleinsten Abdruck der Industrie zu produzieren. Dieses Paket, betitelt dem Micro3™, ist für Anwendungen ideal, in denen Leiterplatteraum an einer Prämie ist. Die Zurückhaltung (<1>
| Parameter | Maximum. | Einheiten | |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | -20 | V |
| Identifikation @ TA = 25°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -4.5V | -3,7 | |
| Identifikation @ TA= 70°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -4.5V | -2,2 | |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom? | -22 | |
| PD @TA = 25°C | Verlustleistung | 1,3 | W |
| PD @TA = 70°C | Verlustleistung | 0,8 | |
| Linearer herabsetzender Faktor | 0,01 | W/°C | |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinen-Energie? | 11 | mJ |
| VGS | Tor-zu-Quellspannung | ± 12 | V |
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