Neuer u. ursprünglicher Energie Mosfet-Transistor (−100V, −2A) 2SB1316
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 ein Oberflächenberg CPT3 50MHz 10 W
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
-100 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
-100 V
Emitter-Basisspannung:
- 8 V
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
150°C
Lagertemperatur:
-55 zu +150°C
Kollektorstrom:
-2 A (DC)
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
Leistungstransistor (−100V, −2A) 2SB1580/2SB1316
Eigenschaften
1) DarliCM GROUPon-Verbindung für hohe Gleichstromverstärkung.
2) Eingebauter Widerstand zwischen Basis und Emitter.
3) Eingebaute feuchtere Diode.
4) Nzt das 2SD2195/das 2SD1980 ergä.
Außenmaße (Einheit: Millimeter)
Absolute Maximalleistungen (Ta = 25°C)
| Parameter | Symbol | Grenzen | Einheit | |
| Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | -100 | V | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | -100 | V | |
| Emitter-Basisspannung | VEBO | -8 | V | |
| Kollektorstrom | IC | -2 | (DC) | |
| -3 | A (Impuls) ∗1 | |||
| Kollektorverlustleistung | 2SB1580 | PC | 2 | W ∗2 |
| 2SB1316 | 1 | |||
| 10 | W (Tc=25°C) | |||
| Grenzschichttemperatur | Tj | 150 | °C | |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 bis +150 | °C | |
∗1 Einzelimpuls Pw=100ms
∗2, als an einem 40 x 40 x 0,7-Millimeter-keramischen Brett anbrachte.
Verpackenspezifikationen und hFE
| Art | 2SB1580 | 2SB1316 |
| Paket | MPT3 | CPT3 |
| hFE | 1k zu 10k | 1k zu 10k |
| Markierung | BN∗ | -- |
| Code | T100 | Zeitlimit |
| Grundlegende Einrichtungseinheit (Stücke) | 1000 | 2500 |
∗ bezeichnet hFE
Elektrische Kennlinie
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