Neuer u. ursprünglicher HEXFET-Energie Mosfet-Transistor IRLR8729TRPBF
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 58A (Tc) der Oberflächen-55W (Tc)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDSS:
30V
RDS (an) maximal:
8.9mΩ
Qg:
10nC
G; D; S:
Tor; Abfluss; Quelle
Abfluss-zu-Quellspannung:
30 V
Tor-zu-Quellspannung:
± 20 V
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Anwendungen?
• Synchroner Hochfrequenzdollar
Konverter für Computer-Prozessor-Energie?
• Lokalisiertes HOCHFREQUENZDC-DC
Konverter mit synchroner Korrektur
für Telekommunikation und industriellen Gebrauch
Nutzen?
• niedriges RDS (an) an 4.5V VGS?
• Ultra-niedriger Tor-Widerstand?
• Völlig gekennzeichnete Lawinendurchbruchsspannung
und gegenwärtig?
• Bleifrei?
• RoHS konform
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