Energie TLP734 Mosfet-Transistor neuer u. ursprünglicher GaAs Ired u. Foto-Transistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
TOSHIBA-Fotokupplung GaAs Ired&Foto−Transistor
TLP733, TLP734
Büromaschine
Hausgebrauch-Ausrüstung
Halbleiterrelais
Schaltnetzteil
Das TOSHIBA TLP733 und TLP734 bestehen aus einem photo−transistor, das optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids in sechs Führung Plastik-BAD verbunden wird.
TLP734 ist no−base interne Verbindung für high−EMI Umwelt.
- Collector−emitter-Spannung: 55 V (Min.)?
- Gegenwärtiger Übertragungsfaktor: 50% (Min.)
- Rang GB: 100% (Min.)?
- UL erkannte: UL1577, Dateinr. E67349?
- BSI genehmigte: BS EN60065: 1994
- Bescheinigen Sie Nr. 7364-
- BS EN60950: 1992
- Bescheinigen Sie Nr. 7365-?
- SEMKO genehmigte: SS4330784
- Bescheinigen Sie Nr. 9325163, 9522142?
- Isolierungsspannung: 4000 Vrms (Min.)?
- Art der Wahl (D4)
- Vde genehmigte: LÄRM VDE0884/06,92,
- Bescheinigen Sie Nr. 74286, 91808
- Maximale funktionierende Isolierungsspannung: 630, 890 VPK
- Am höchsten zulässig über Spannung: 6000, 8000 VPK
- Vde genehmigte: LÄRM VDE0884/06,92,
(Anmerkung) als ein VDE0884 genehmigte, ist Art, kennzeichnen bitte die „Wahl (D4) erforderlich“
7,62 Millimeter-Neigung 10,16 Millimeter-Neigung
Standard TLP×××F-Art?
Kriechstrecke : 7,0 Millimeter (Min.) 8,0 Millimeter (Min.)
Freigabe : 7,0 Millimeter (Min.) 8,0 Millimeter (Min.)
Interner Creepageweg : 4,0 Millimeter (Min.) 4,0 Millimeter (Min.)
Isolierungsstärke : 0,5 Millimeter (Min.) 0,5 Millimeter (Min.)
Maximalleistungen (Ta = 25°C)
| Eigenschaft | Symbol | Bewertung | Einheit | |
| LED | Vorwärtsstrom | WENN | 60 | MA |
| Vorderes gegenwärtiges Herabsetzen (Ta-≥ 39°C) | ∆IF/°C | ? -0,7 | MA/°C | |
| Spitze vorwärts gegenwärtig (100 µs Impuls, 100 PPSs) | IFP | 1 | ||
| Sperrspannung | VR | 5 | V | |
| Grenzschichttemperatur | Tj | 125 | °C | |
| Detektor | Kollektor? Emitterspannung | VCEO | 55 | V |
| Kollektor? niedrige Spannung (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| Emitter? Anodenspannung | VECO | 7 | V | |
| Emitter? niedrige Spannung (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Kollektorstrom | IC | 50 | MA | |
| Verlustleistung | PC | 150 | mW | |
| Herabsetzende Verlustleistung (Ta-≥ 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| Grenzschichttemperatur | Tj | 125 | °C | |
| Lagertemperaturbereich | Tstg | -? 55~125 | °C | |
| Betriebstemperaturbereich | Topr | ? -40~100 | °C | |
| Führungslöttemperatur (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Gesamtpaketverlustleistung | Pint | 250 | mW | |
| Herabsetzende Gesamtpaketverlustleistung (Ta-≥ 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Isolierungsspannung (Wechselstrom, 1 Min., R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Gewicht: 0,42 g
Pin Configurations (Draufsicht)
TLP733
1: Anode 2: Kathode 3: Nc 4: Emitter 5: Kollektor 6: Basis
TLP734
1: Anode 2: Kathode 3: Nc 4: Emitter 5: Kollektor 6: Nc
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC