BSS138LT1G-Energie Mosfet-Transistor-Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) der Oberflächen-
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDSS:
50 VDC
Vgs:
± 20 VDC
ICH D:
200 MA
PD:
225mW
Zeitlimit:
°C 260
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23
Typische Anwendungen sind DC−DC-Konverter, Energiemanagement in den tragbaren und battery−powered Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten-, zelluläre und drahtlosetelefone.
Eigenschaften
• Pb−Free-Pakete sind verfügbar
• Niedrige Schwellen-Spannung (VGS (Th):
0,5 V−1.5 V) macht es ideal für Niederspannungs-Anwendungen
• Miniatur-Oberflächenpaket des berg-SOT−23 spart Brett-Raum
ANMERKUNGEN:
1. ABMESSUNG UND TOLERANCING PRO ANSI Y14.5M, 1982.
2. KONTROLLEmaß: ZOLL.
3. MAXIMALE FÜHRUNGS-STÄRKE UMFASST FÜHRUNGS-ENDstärke. MINIMALE FÜHRUNGS-STÄRKE IST DIE MINIMALE STÄRKE DES GRUNDMATERIALS.
4. 318−03 UND −07 VERALTET, NEUES STANDARD-318−08.
MAXIMALLEISTUNGEN (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
| Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
| Drain−to−Source-Spannung | VDSS | 50 | VDC |
| Gate−to−Source-Spannung − ununterbrochen | VGS | ± 20 | VDC |
| Gesamtleistungs-Ableitung @ TA = 25°C | PD | 225 | mW |
| Funktionieren und Lagertemperaturbereich | TJ, Tstg | − 55 bis 150 | °C |
| Thermischer Widerstand − Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
| Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken, für 10 Sekunden | Zeitlimit | 260 | °C |
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