Energie BFR520 Mosfet-Transistor NPN Breitbandtransistor mit 9 Gigahertz
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Oberflächenberg SC-75 Rf-Transistor-NPN 15V 70mA 9GHz 150mW
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
20 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
15 V
DC-Kollektorstrom:
70 MA
Gesamtleistungs-Ableitung:
300mW
Rückwirkungskapazität:
0,4 PF
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
NPN Breitbandtransistor mit 9 Gigahertz BFR520
EIGENSCHAFTEN
• Gewinn der hohen Leistung
• Lärmarme Zahl
• Hohe Übergangsfrequenz
• Goldaufdampfen stellt ausgezeichnete Zuverlässigkeit sicher.
BESCHREIBUNG
Das BFR520 ist ein planarer Epitaxial- Transistor npn Silikons, bestimmt für Anwendungen im Rf, der in den Breitbandanwendungen in der Gigahertz-Strecke, wie analogen und digitalen Mobiltelefonen, drahtlosen Telefonen Vorderseiten ist (CT1, CT2, DECT, etc.), Radardetektoren, Pagers und Satellitenfernsehentuners (SATV) und Verstärker- Verstärkern in den fiberoptischen Systemen. Der Transistor wird in einem Plastik-Umschlag SOT23 eingekapselt
GRENZWERTE
In Übereinstimmung mit dem absoluten maximalen System (Iec 134).
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | Min. | MAXIMUM. | EINHEIT |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | offener Emitter | − | 20 | V |
| VCES | Kollektor-Emitter-Spannung | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | Emitterbasisspannung | Open-Collector | − | 2,5 | V |
| C-DC | Kollektorstrom | − | 70 | MA | |
| Ptot | Gesamtleistungsableitung | bis Ts = °C 97; Anmerkung 1 | − | 300 | mW |
| Tstg | Lagertemperatur | −65 | 150 | °C |
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