Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > Mosfet-Energie Mosfet-Transistor-Mehrkanaloptokoppler CNY74-4H geringer Energie mit Fototransistor-Ertrag

Mosfet-Energie Mosfet-Transistor-Mehrkanaloptokoppler CNY74-4H geringer Energie mit Fototransistor-Ertrag

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Optoisolator-Transistor-Ausgang 5300 Vrms 4 Kanäle 16-DIP
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Reserve-Spannung:
6 V
Vorwärtsstrom:
60 MA
Vorwärtsüberspannung:
1,5 A
Verlustleistung:
100 mW
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
°C 125
Lagertemperaturbereich:
– °C 55 bis +125
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung


CNY74-2/CNY74-4
Mehrkanaloptokoppler mit Fototransistor-Ertrag

Beschreibung
Die CNY74-2 und die CNY74-4 bestehen aus einem Fototransistor, der optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids in einer 8 Führung, bzw. 16 Plastikdoppelreihengehäuse der Führung verbunden wird. Die Elemente werden an einem leadframe in die koplanare Technik angebracht und stellen einen örtlich festgelegten Abstand zwischen Input und Ertrag für höchste Sicherheitsauflagen bereit.

Anwendungen
Galvanisch getrennte Stromkreise, nicht-Wechselwirkungsschalter.

Eigenschaften?

  • CNY74-2 schließt 2 Isolatorkanäle ein?
  • CNY74-4 schließt 4 Isolatorkanäle ein?
  • DC-Isolierungsprüfspannung VIO = 2,5 KV?
  • Testklasse 25/100/21 LÄRM 40 045?
  • Niedrige Koppelungskapazitanz typische 0,3 PF?
  • Gegenwärtiger Übertragungsfaktor (CTR) typisches 100%?
  • Koeffizient der niedrigen Temperatur von CTR?
  • Breite umgebende Temperaturspanne


Absolute Maximalleistungen
für einzelnes Verbundsystem

Input (Emitter)

ParameterTestbedingungenSymbolWertEinheit
Reservespannung VR6V
Vorwärtsstrom WENN60MA
VorwärtsüberspannungTP-≤ 10? sIFSM1,5
VerlustleistungTamb-≤ 25°CPV100mW
Grenzschichttemperatur Tj 125°C


Ertrag (Detektor)

ParameterTestbedingungenSymbolWertEinheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO70V
EmitterAnodenspannung VECO7V
Kollektorstrom IC50MA
Höchstkollektorstromtp/T = 0,5, TP-≤ 10 FrauICM100MA
VerlustleistungTamb-≤ 25°CPV150mW
Grenzschichttemperatur Tj125°C


Koppler

ParameterTestbedingungenSymbolWertEinheit
DC-Isolierungsprüfspannung VIO 1)2,5V
GesamtleistungsableitungTamb-≤ 25°CPtot250mW
Umgebende Temperaturspanne Tamb– 40 bis +100°C
Lagertemperaturbereich Tstg– 55 bis +125°C
Löttemperatur2 Millimeter vom Fall, t-≤ 10 sTsd260°C

1) auf Standardklima 23/50 LÄRM 50 014 bezogen

Pin Connections

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer.Q'tyMFGD/CPaket
AP891703987APLUS16+DIP-24
ADG708BRUZ3985ANZEIGE15+TSSOP-16
ADV7623BSTZ3982ANZEIGE14+LQFP144
AT29C256-70PI3981ATMEL14+DIP-28
ZTX1053A3980ZETEX15+TO-92S
LT3020EMS8#PBF3980LINEAR14+MSOP-8
ATF-50189-BLK3975AVAGO15+SOT89
MBI5026GD3968MBI15+BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
AD8630ARUZ3965ANZEIGE14+TSSOP-14
LT1086CT-3.33961LINEAR15+TO-220
ATMEGA32A-PU3952ATMEL15+DIP-40
ADL5544ARKZ3950ANZEIGE15+SOT89
ADA4932-1YCPZ3940ANZEIGE14+LFCSP-16
LP3875ES-ADJ3931NSC14+TO-263-5
ADL5536ARKZ3925ANZEIGE14+SOT89
CXA3809M3919SONY14+BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
AT89C55WD-24PU3919ATMEL15+PLCC44
ADA4899-1YRDZ3918ANZEIGE15+SOP-8
AT45DB161D-SU3918ATMEL15+SOP-8
AD9822JRSZ3917ANZEIGE15+SSOP-28
AD8048AR3916ANZEIGE14+SOP-8




VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs