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S9012 TO-92 Plastik-kapseln mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der Transistorgeringen energie ein

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 25 V 500 MA 150MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
-40 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
-25 V
Emitter-Basisspannung:
-5 V
Kollektorstrom - ununterbrochen:
-500 MA
Kollektorverlustleistung:
300mW
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Einleitung

SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren ein


EIGENSCHAFTEN
Ergänzend zu S9013
►Ausgezeichnete hFE Linearitäten


MARKIERUNG: 2T1







MAXIMALLEISTUNGEN (wenn nicht anders vermerkt ℃ TA=25)

SymbolParameterWertEinheiten
VCBO Kollektor-Basis-Spannung-40V
VCEOKollektor-Emitter-Spannung-25V
VEBO Emitter-Basis-Spannung-5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen-500MA
PCKollektor-Verlustleistung300 mW
TjGrenzschichttemperatur150


Typische Eigenschaften
BESTANDSLISTE

BZV55-C36900015+LL34
BC63915000FSC15+TO-92
BSP75N2100 13+SOT-223
BAT62-03W15000 15+SOD323
3269W-1-103G3000BOURNS15+SMD
ATXMEGA256A3-MH2170ATMEL16+QFN
FMMT560TA2200ZETEX14+SOT-23
D1A05D350HASCO15+DIP-8
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