Netzschalter Schaltleistung BTS432E2 mosfet-Energie Mosfet-Transistor-Smarts Highside
power mosfet ic
,multi emitter transistor
PROFET® BTS 432 E2
Intelligenter Highside-Netzschalter
Eigenschaften
• Lastsdump und Rückbatterie protection1)
• Klammer der negativen Spannung am Ertrag
• Kurzschlusssicherung
• Gegenwärtige Beschränkung
• Thermische Abschaltung
• Diagnosefeedback
• Offene Lastsentdeckung im Ein-Zustand
• Kompatibler Input CMOS
• Schutz der elektrostatischen Entladung (ESD)
• Verlust des Bodens und Verlust von Vbb protection2)
• Überspannungsschutz
• Undervoltage- und Überspannungsabschaltung mit Autorestart und Hysterese
Anwendung
• µC erdete kompatibler Netzschalter mit Diagnosefeedback für 12 V und 24 V DC Lasten
• Alle Arten widerstrebenden, induktiven und capacitve Lasten
• Ersetzt elektromechanische Relais und Einzelleitungen
Produkt-Zusammenfassung
VLoad-Dump 80 V
Vbb-VOUTlawinen-Klammer 58 V
Vbb (Operation) 4,5… 42 V
Vbb (Rückseite) -32 V
RON mΩ 38
IL (SCp) 44 A
IL (Störungsbesuch) 35 A
IL (ISO) 11 A
Allgemeine Beschreibung
Bezog vertikaler FET Macht n-Kanals mit Ladepumpe, Boden kompatiblen Input CMOS und Diagnosedas feedback, integriert in intelligentem SIPMOS- Chip auf Chiptechnologie. Lieferung von Schutzfunktionen.
Maximalleistungen bei Tj = °C 25 wenn nicht anders angegeben
| Parameter | Symbol | Werte | Einheit |
| Versorgungsspannung | Vbb | 63 | V |
|
Lastsdumpschutz VLoadDump = MA + gegen, MA = 13,5 V RI = 2 Ω, RL = 1,1 Ω, TD = 200 Frau, IN= niedrig oder hoch |
Gegen 3) | 66,5 | V |
| Laden Sie gegenwärtiges | IL | selbstlimitiert | |
|
Betriebstemperaturbereich Lagertemperaturbereich |
Tj Tstg |
-40… +150 -55… +150 |
°C |
| Verlustleistung (DC) | Ptot | 125 | W |
|
Schalter-wegenergiedissipation der induktiven Belastung, Einzelimpuls Tj=150 °C: |
EAS |
1,7 |
J |
| Fähigkeit der elektrostatischen Entladung (ESD) (menschlicher Körper-Modell) | VESD | 2,0 | KV |
|
Eingangsspannung (DC) Gegenwärtiger durchgehender Inputstift (DC) Gegenwärtiger durchgehender Statusstift (DC) |
VIN IIN IST |
-0,5… +6 ±5.0 ±5.0 |
V MA
|
|
Thermischer Widerstand Chip - Fall: Kreuzung - umgebend (Freifeld): SMD-Version, Gerät auf PWB4): |
RthJC RthJA
|
≤ 1 ≤ 75 ≤ tbd |
K/W |
Paket-und Einrichtungs-Code
Alle Maße in Millimeter
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| A3966SLBTR | 2202 | ALLEGRO | 14+ | SOP-16 |
| MC14504BCP | 4117 | AUF | 16+ | BAD |
| MM5451YV | 4307 | MICREL | 16+ | PLCC |
| NUD3112DMT1G | 5140 | AUF | 16+ | SOT-163 |
| NJM741M | 4948 | JRC | 10+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MFRC53001T | 6100 | 11+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| PCM2704DBR | 13520 | TI | 13+ | SSOP |
| OPA228UA/2K5 | 6840 | TI | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| NJM339CG-TE2 | 38000 | JRC | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MX29LV320ABTC-70 | 10500 | MXIC | 10+ | TSOP |
| NDS355N | 38000 | FAIRCHILD | 15+ | SOT-23 |
| NJU4053BV | 10000 | JRC | 10+ | TSSOP |
| BTA08-800CW3G | 3367 | St. | 10+ | TO-220 |
| XC62FP3002PRN | 2000 | TOREX | 15+ | SOT-89 |
| PIC10F222T-E/OT | 9100 | MIKROCHIP | 16+ | TRUNKENBOLD |
| OP777ARZ | 6320 | ANZEIGE | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PEB4264TV1.2 | 5850 | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| LMX2335MX | 3764 | NSC | 14+ | SOP-16 |
| PALCE16V8-25PC/4 | 10720 | AMD | 16+ | BAD |
| ME3220-222MLC | 5974 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
| LM3674MF-ADJ | 3047 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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