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A1302KUA-Energie Mosfet-Transistor-ununterbrochene Zeit Ratiometric linearer Hall Effect Sensors

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Versorgungsspannung, VCC:
8 V
Ausgangsspannung, VOUT:
8 V
Rück-Versorgungs-Spannung, VRCC.:
– 0,1 V
Rück-Ertrag-Spannung, VROUT:
– 0,1 V
Ertrag-Wannen-Strom, IOUT:
10 MA
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Einleitung

A1302KUA-Energie Mosfet-Transistor-ununterbrochene Zeit Ratiometric linearer Hall Effect Sensors


Eigenschaften und Nutzen

? Lärmarmer Ertrag?

►Schnelle Betriebszeit?

►Ratiometric Schiene-zuschienenertrag?

►4,5 bis 6,0 v-Operation?

►Festkörperzuverlässigkeit?

►Fabrik-programmiert am Zeilenenden für optimale Leistung?

►Robuste ESD-Leistung

Die A1301 und die A1302 sind ununterbrochen-male, ratiometric, lineare Hallsensoren. Sie werden optimiert, um einen Spannungsertrag genau zur Verfügung zu stellen, der zu einem angewandten Magnetfeld proportional ist. Diese Geräte haben eine bewegungslose Ausgangsspannung, die 50% der Versorgungsspannung ist. Zwei Ertragempfindlichkeitswahlen werden zur Verfügung gestellt: 2,5 mV/G typisch für das A1301 und 1,3 mV/G typisch für das A1302.

Die Halleffektintegrierte schaltung, die in jedem Gerät eingeschlossen ist, schließt einen Hall-Fühler, einen Linearverstärker ein, und ein CMOS klassifizieren eine Ertragstruktur. Die Integrierung des Hall-Fühlers und des Verstärkers auf einem einzelnen Chip setzt viele der Probleme herab, die normalerweise mit Analogsignalen des niedrigen Spannungspegels verbunden sind.

Hohe Präzision in den Ausgangspegeln wird durch internen Gewinn erhalten und Ausgleichordnungsanpassungen machten am Zeilenenden während des Herstellungsverfahrens.

Diese Eigenschaften machen das A1301 und das A1302 ideal für Gebrauch in den Positions-Sensoren, für beide Bewegung des linearen Ziels und Rotationszielbewegung. Sie sind für industrielle Anwendungen übernahmen Temperaturspannen, von – 40°C zu 125°C. gut angepasst.

BESTANDSLISTE


LM340S-12 4220 NSC 14+ TO-263
MC74ACT125N 5212 AUF 10+ BAD
PIC18F4685-I/P 4378 MIKROCHIP 16+ TQFP
PIC12F1822T-I/MF 5483 MIKROCHIP 11+ QFN
PESD5VOL2BT 40000 16+ TRUNKENBOLD
NTGS5120PT1G 30000 AUF 16+ SOT-23
LNBTVS3-220U 10000 St. 15+ SMD
LM2931CDR2G 8876 AUF 11+ SOP-8
LP3966ESX-ADJ 2922 NSC 14+ TO-263
MAX4624EZT 14150 MAXIME 16+ TRUNKENBOLD
M25PE10-VMN6TP 4257 St. 12+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
OP290GP 6160 ANZEIGE 16+ BAD
NTLJF4156NT1G 4780 AUF 16+ WDFN-6
ADSP-BF518BSWZ-4F4 2000 ANZEIGE 14+ QFP-176
BGD802 210 PHI 15+ SOT115
AT45DB021D-SH-T 2300 ATMEL 15+ SOP-8
ADP1712AUJZ-R7 2000 ANZEIGE 16+ SOT23-5
DS1832S+T 5460 MAXIME 15+ SOP-8
HT12A 1520 HOLTEK 15+ SOP/DIP
B360A-13-F 2300 DIODEN 15+ SMA
MBRM120LT3 38000 AUF 16+ RASEN
OPA333AIDBVR 7360 TI 16+ SOT23-5
OPA2333AIDGKR 6880 TI 16+ MSOP
LMH0040SQE/NOPB 1375 TI 15+ WQFN-48
PIC16F685-I/SS 5068 MIKROCHIP 16+ SSOP
CLC007BMA 1618 NSC 10+ SOP8
LTC3405AES6 6818 LINEAR 16+ TRUNKENBOLD
LM7805S 4940 NSC 15+ TO-262
PIC16C715-04I/SO 5348 MIKROCHIP 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MCP6041T-I/OT 5488 MIKROCHIP 16+ SOT23-5
NC7SZ74K8X 10000 FAIRCHILD 16+ VSSOP
XC3S500E-4CPG132I 100 XILINX 15+ BGA
MIC38C43YM 6478 MICREL 16+ SOP-8
M27C2001-70XF1 4075 St. 15+ BAD
MC34063ACD 10000 St. 16+ BAD
AZC199-04S.R7G 12000 ÜBERRASCHEN 15+ SOT23-6
MX29LV040QC-70 10200 MXIC 10+ PLCC
LM2907N-8 3421 NSC 13+ DIP-8
PMBT2907A 600000 15+ SOT-23
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Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

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MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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