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Der Mosfet-Transistor-integrierten Schaltung Energie IRLR2905TRPBF TO-252 IC-Elektronik Chip

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 42A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
-55°C zu +175°C
Zahlungsbedingung:
T/T, Paypal, Western Union
Spannung:
± 16 V
Gegenwärtig:
25A
Paket:
TO-252
Fabrik-Paket:
Spule
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Der Mosfet-Transistor-integrierten Schaltung Energie IRLR2905TRPBF TO-252 IC-Elektronik Chip

IRLR2905TRPBF

±15kV ESD schützte sich, +3V zu +5.5V, 1Microamp, 250kbps, RS-232 Sender-Empfänger

Tor-Antrieb des logischen Zustandes?

Ultra niedriger Auf-Widerstand?

Oberflächenberg (IRLR2905)?

Gerade Führung (IRLU2905)?

Moderne Verfahrenstechnik

Schnelle Schaltung? Völlig Lawine veranschlagt

Bleifrei

Beschreibung

Fünfte Generation HEXFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um den niedrigsten möglichen Aufwiderstand pro Silikonbereich zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen. Das D-PAK ist für Aufputzmontage unter Verwendung der Dampfphase, des Infrarots oder der lötenden Techniken der Welle bestimmt. Die gerade Führungsversion (IRFU-Reihe) ist für das Durchloch, das Anwendungen anbriCM GROUP. Verlustleistungsniveaus bis 1,5 Watt sind in den typischen Oberflächenberganwendungen möglich.

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??????????????? ????????????? Absoluter Maxim Rating

Ununterbrochener Strom des Abfluss-TC = 25°C, VGS @ Identifikation 10V 42 @ TC = 100°C

Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 30 A

Pulsierte IDM lassen gegenwärtiges PD 160 @TC = 25°C ab

Lineare das Herabsetzen der Verlustleistungs-110 W stellen Faktor bei 0,71 W/°C dar

VGS-Tor-zu-Quellspannung ± 16 V

EAS-Einzelimpuls-Lawinen-Energie? 210 mJ

IAR-Lawinen-Strom 25 ein OHR sich wiederholend

Lawinen-Energie 11 Spitzen-Dioden-Wiederaufnahme dv/dt mJ dv/dt? 5,0 V/ns

TJ funktionierende Kreuzung und -55 bis + 175

TSTG-Lagertemperaturbereich

Löttemperatur, für 10 Sekunden 300 (1.6mm vom Fall) °C

Ein Teil der Bestandsliste

INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF TDK Y6438385HU SMD3225
INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF TDK Y643780LHU SMD3225
C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF LINEAR LTC4 SOT23-5
C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF LINEAR LTD6 SOT23-5
C.I SN74HC273DWR TI 87D71RK/85FKF2K SOP-20
Res 0R 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0805
Res 49R9 1%
RC0805FR-0749R9L
YAGEO 1639 SMD0805
Res 6K8 1%
RC0805FR-076K8L
YAGEO 1633 SMD0805
Res 0R 5%
RC0603JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0603
KAPPE 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
DIODO B330A-13-F DIODEN 1522/B330A SMA
C.I MM74C922N FAC BH56AB DIP-18
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
C.I CD4052BM96 TI 69P1HQA SOP-16
Res 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL YAGEO 1633 SMD1210
Res 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL YAGEO 1641 SMD1210
KAPPE 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A AVX 1622 SMD0805
Res 0805 1K5 1%
RC0805FR-071K5L
YAGEO 1641 SMD0805
Res 0805 3K3 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO 1641 SMD0805
C.I SN74LS373N TI 1606+5 DIP-20
OPTOACOPLADOR 4N25M FSC 629Q DIP-6
Res 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
YAGEO 1642 SMD0805
Res 0805 4K99 1%
RC0805FR-074K99L
YAGEO 1643 SMD0805
Res 0805 75R 1%
RC0805FR-0775RL
YAGEO 1643 SMD0805
NPA 08055A221JAT2A der KAPPEN-0805 220PF 50V AVX 1633 SMD0805
C.I SSD1961G40 SOLOMON L045AF BGA40
C.I LM336D-2.5 TI 336-25/68MA6EG. SOP-8
C.I TPS61041DBVR TI PHPI SOT23-5
DIODO 1N4756A SEMTECH SL0C2P0817Z185G DO-41
C.I-KONVERTER
MCP3201-CI/P
MIKROCHIP 1621SOD DIP-8
VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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