Energie MMBF170 Mosfet-Transistor, N - Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
BS170/MMBF170
N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
Allgemeine Beschreibung
Diese N-Kanalanreicherungstyp-Feldeffekttransistoren werden unter Verwendung eigenen Fairchild, hohe Zelldichte, DMOS-Technologie produziert. Diese Produkte sind entworfen worden, um Durchlasswiderstand herabzusetzen, während schroffe, zuverlässige und schnelle zugeschaltete Leistung zur Verfügung stellen Sie. Sie können in den meisten Anwendungen benutzt werden, die bis zu DC 500mA erfordern. Diese Produkte werden besonders für Niederspannung, niedrige gegenwärtige Anwendungen wie kleine Servomotorsteuerung, Macht MOSFET-Torfahrer und andere zugeschaltete Anwendungen entsprochen.
Eigenschaften
- Zellentwurf mit hoher Dichte für niedriges RDS (AN).
- Kontrollierter differenzieller Schalter der Spannung.
- Schroff und zuverlässig.
- Hohe Sättigungsstromfähigkeit.
Absolute Maximalleistungen TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | BS170 | MMBF170 | Einheit |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 60 | V | |
| VDGR | Abfluss-Tor-Spannung (RGS< 1MW=""> | 60 | V | |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 20 | V | |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab - Pulsiert |
500 | 500 | MA |
| 1200 | 800 | MA | ||
| PD |
Höchstleistungs-Ableitung Setzen Sie über 25°C herab |
830 | 300 | mW |
| 6,6 | 2,4 | mW/°C | ||
| TJ, TSTG | Funktionieren und Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C | |
| Zeitlimit | Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken, 1/16“ vom Argument für 10 Sekunden | 300 | °C | |
| THERMISCHE EIGENSCHAFTEN | ||||
| RθJA | Thermisches Resistacne, Kreuzung-zu-umgebend | 150 | 417 | °C/W |
Zugeschalteter Test-Stromkreis. Zugeschaltete Wellenformen.
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC