TRIAC-empfindliche Tor-Energie Mosfet-Transistor Alternistor-TRIAC Energie Q6012LH5 mosfet IC
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Alternistor-TRIAC (6 A bis 40 A)
Allgemeine Beschreibung
Teccor bietet bidirektionale alternistors mit gegenwärtigen Bewertungen von 6 A bis 40 A und Spannungen von 200 V 1000 V als Teil Teccors breiter Linie von Thyristoren an. Teccors alternistor ist speziell für Anwendungen bestimmt, die in hohem Grade induktive Belastungen schalten. Ein spezieller Chip bietet die gleiche Leistung als verdrahtete umgekehrte Ähnlichkeit zwei Thyristoren (Störungsbesuche) (Rücken an Rücken) an und stellt besseres Drehungs-wegverhalten als ein Standardtriac bereit. Ein alternistor wird ausgelöst möglicherweise von einem Blockieren zum Leitungszustand für jede Polarität der angewandten Wechselspannung mit Betriebsarten in Quadranten I, II und III.
Dieser neue Chipbau liefert zwei elektrisch verschiedene Störungsbesuch-Strukturen und stellt erhöhte dv-/dteigenschaften beim Behalten der Vorteile eines Einzelchipgerätes bereit.
Alle alternistors haben Kreuzungen Glas-passiviert, um langfristige Zuverlässigkeits- und Parameterstabilität sicherzustellen. Teccors Glas-passivierte Kreuzungen bieten eine zuverlässige Sperre gegen Kreuzungsverschmutzung an.
Teccors TO-218X Paket ist für schwere, stabile powerhandling Fähigkeit bestimmt. Es kennzeichnet große Ösenanschlüsse für Leichtigkeit des Lötens des schweren Messgerätanschlussdrahtes. Alle lokalisierten Pakete haben eine Standardisolierungsnennspannung von Effektivwert mit 2500 V.
Veränderungen von den Geräten, die in diesem Leistungsblatt umfasst werden, sind für kundenspezifisch anfertigen Anwendungen verfügbar. Konsultieren Sie die Fabrik für weitere Informationen.
Eigenschaften
• Hohe Überspannungsfähigkeit
• Glas-passivierte Kreuzungen
• Wechselstrom-Isolierung mit 2500 V für L-, J- und k-Pakete
• Hohes kommutierendes dv/dt
• Hohes statisches dv/dt
Testbedingungen
di/dt — Maximale Rate-vonänderung des Durchlassstroms
dv/dt — Kritischer Rate-vonaufstieg Ausschaltspannung an bewertetem VDRM-Tor offen
dv/dt (c) — Kritischer Rate-vonaufstieg Umwandlungsspannung an bewertetem VDRM und an IT (Effektivwert) kommutierend di/dt = 0,54 bewertete IT (Effektivwert) /ms; Tor unenergized
I 2 t — (Nichtfortlaufender) Durchlassstrom Effektivwert-Anstiegs für Zeitraum von Frau 8,3 für die Fixierung
IDRM — Höchstsperrstromtor offen; VDRM = maximaler Nennwert
IGT — DC-Torauslöser gegenwärtig in den spezifischen funktionierenden Quadranten; VD = DC mit 12 V
IGTM — Höchsttortriggerstrom
IH — Haltestrom (DC); Tor offen
IT (EFFEKTIVWERT) — Leitungswinkel des effektiven Durchlassstroms von 360°
ITSM — Höchsteinzyklusanstieg
SEITE (HANDELS) — Durchschnittliche Torverlustleistung
PGM — Höchsttorverlustleistung; IGT-≦ IGTM
tgt — Tor kontrolliert Drehung-auf Zeit; IGT = 300 MA mit 0,1 µs Anstiegszeit
VDRM — Blockierspannung der sich wiederholenden Spitze
VGT — DC-Zündspannung; VD = DC mit 12 V
VTM — Höchstein-zustands-Spannung an maximalem bewertetem Effektivwert-Strom
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC
