P-Kanal PowerTrench MOSFET SI4435DY-Grabenenergie mosfet-Energie Mosfet-Transistor-30V
power mosfet ic
,silicon power transistors
SI4435DY
P-Kanal 30V PowerTrench MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Dieser P-Kanal MOSFET ist eine schroffe Torversion modernen das PowerTrench-Prozesses Fairchild-Halbleiters. Er ist für Energiemanagement optimiert worden, welches die Anwendungen, die eine breite Palette von erfordern, Antriebsnennspannungen (4.5V – 25V) gaben.
Anwendungen
· Energiemanagement
· Lastsschalter
· Batterieschutz
Eigenschaften
· – 8,8 A, – 30 V RDS (AN) = 20 mW @ VGS = – 10 V
RDS (AN) = 35 mW @ VGS = – 4,5 V
· Niedrige Torgebühr (17nC typisch)
· Schnelle Schaltverzögerung
· Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
· Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit
Absolute Maximalleistungen TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Bewertungen | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | -30 | V |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ±20 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochen ab (Anmerkung 1a) – Pulsiert |
– 8,8 | |
| – 50 | |||
| PD |
Verlustleistung für einzelne Operation (Anmerkung 1a) (Anmerkung 1b) (Anmerkung 1c) |
2,5 |
W |
| 1,2 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | – 55 bis +175 | °C |
Thermische Eigenschaften
| RθJA | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 1a) | 50 | °C/W |
| RθJA | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 1c) | 125 | °C/W |
| RθJC | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 1) | 25 | °C/W |
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
| Gerät-Markierung | Gerät | Spulen-Größe | Bandbreite | Quantität |
| SI4435DY | SI4435DY | 13' ‚ | 12mm | 2500 Einheiten |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC