Universeller Transistor Energie BC807-25 Mosfet-Transistors PNP
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
−50 V
Kollektor-Emitter-Spannung:
−45 V
Emitter-Basisspannung:
−5 V
Kollektorstrom (DC):
−500 MA
niedriger Höchststrom:
−200 MA
Gesamtleistungs-Ableitung:
250mW
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | St. | 16+ | BAD |
| BZX84B5V1 | 2888 | AUF | 16+ | SOT-23 |
| TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | TI | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | SEPT | 16+ | BAD |
| MP1542DK-LF-Z | 2900 | WARTUNGSTAFELN | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
| IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | BAD |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | MIKROCHIP | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
| MUR1640CT | 2998 | AUF | 16+ | TO-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
| 1N5359B | 3000 | AUF | 14+ | DO-27 |
| 1N5819HW-7-F | 3000 | DIODEN | 14+ | SOD-123 |
| 2N7002W-7-F | 3000 | DIODEN | 16+ | SOT-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
| BD136 | 3000 | St. | 13+ | TO-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | AUF | 14+ | SOT23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Universeller Transistor BC807 PNP
EIGENSCHAFTEN
• Hohes gegenwärtiges (Maximum 500 MA)
• Niederspannung (Maximum 45 V).
ANWENDUNGEN
• Universelle Schaltung und Verstärkung.
Fig.1 vereinfachte Entwurf (SOT23) und Symbol.
BESCHREIBUNG
PNP-Transistor in einem Plastikpaket SOT23.
NPN nzt ergä: BC817.
FESTSTECKEN
| PIN | BESCHREIBUNG |
| 1 | Basis |
| 2 | Emitter |
| 3 | Kollektor |
GRENZWERTE
In Übereinstimmung mit dem absoluten Maximalleistungs-System (Iec 134).
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | Min. | MAXIMUM. | EINHEIT |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | offener Emitter | − | −50 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | offene Basis; IC = −10 MA | − | −45 | V |
| VEBO | Emitterbasisspannung | Open-Collector | − | −5 | V |
| IC | Kollektorstrom (DC) | − | −500 | MA | |
| ICM | Höchstkollektorstrom | − | −1 | ||
| IBM | niedriger Höchststrom | − | −200 | MA | |
| Ptot | Gesamtleistungsableitung | Tamb-≤ 25 °C; Anmerkung 1 | − | 250 | mW |
| Tstg | Lagertemperatur | −65 | +150 | °C | |
| Tj | Grenzschichttemperatur | − | 150 | °C | |
| Tamb | funktionierende umgebende Temperatur | −65 | +150 | °C |
Transistor der Anmerkungs-1. brachte an einer Leiterplatte FR4 an.
PAKET-ENTWURF
Plastikangebrachtes Oberflächenpaket; 3 Führungen SOT23
VERWANDTE PRODUKTE
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