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Mosfet-Transistoren der IRF7240TRPBF-Energie Mosfet-Transistorhohen leistung

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Kategorie:
Energie-Management IC
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
-40 V
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
-10,5 A
Pulsierter Abflussstrom:
-43 A
Verlustleistung:
2,5 W
Linearer herabsetzender Faktor:
20 mW/°C
Tor-zu-Quellspannung:
± 20 V
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
NDT456P 5000 FAIRCHILD 16+ SOP8
OB2268CCPA 5000 OB 16+ SOP8
P2003EVG 5000 NIKOS 13+ SOP8
P6SMB27CA 5000 VISHAY 15+ SMB
P89LPC932A1FDH 5000 16+ TSSOP
PC400J00000F SOP-5 5000 SCHARFES 16+ SOP-5
PIC16C711-04/P 5000 MIKROCHIP 14+ DIP-18
PIC16F716-I/P 5000 MIKROCHIP 14+ DIP-18
PIC16F84A-04I/SO 5000 MIKROCHIP 14+ SOP18
PIC16F886-I/SP 5000 MIKROCHIP 16+ BAD
PIC18F4431-I/PT 5000 MIKROCHIP 16+ TQFPQFP
RFD15P05SM 5000 INTERSIL 13+ TO-252
RT8010GQW 5000 RICHTEK 15+ WDFN
SFH6156-4 5000 VISHAY 16+ SOP4
SI4880DY-T1-E3 5000 VISHAT 16+ SOP-8
SLF6028T-100M1R3-PF 5000 TDK 14+ SMD
SM15T15A 5000 St. 14+ DO-214AB
SM6S24A 5000 VISHAY 14+ DO-218
SMAJ15A 5000 VISHAY 16+ SOD-214A
SMBJ6.0A 5000 VISHAY 16+ SMB
SMCJ54A-E3 5000 VISHAY 13+ DO-214A
SN74AHC123ADR 5000 TI 15+ SOP-16
SN74HC132N 5000 TI 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
SN74HC148N-TI 0401 5000 TI 16+ SOP-16
ST232ABDR 5000 St. 14+ SMD
ST232CWR 5000 St. 14+ SOP16
STM8S103F2P6 5000 St. 14+ SSOP
STP75NF75 5000 St. 16+ TO-220
STTH1R06U 5000 St. 16+ SMB
STU309D 5000 SAMHOP 13+ SOT-252

IRF7240PbF

HEXFET? Energie MOSFET

  • Ultra niedriger Auf-Widerstand?
  • P-Kanal MOSFET?
  • Oberflächenberg?
  • Verfügbar im Band u. in der Spule?
  • Bleifrei

VDSS RDS (an) maximal Identifikation
-40V 0.015@VGS = -10V -10.5A
0.025@VGS = -4.5V -8.4A

Beschreibung

Diese P-Kanal MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um den - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in den Batterie- und Lastsmanagementanwendungen.

Das SO-8 ist durch ein kundengebundenes leadframe für erhöhte thermischen Eigenschaften und die Mehrfachwürfelfähigkeit geändert worden, die es ideal in einer Vielzahl von Energieanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrfache Geräte in einer Anwendung mit drastisch verringertem Brettraum benutzt werden. Das Paket ist für Dampfphase, Infrarot oder lötende Technik der Welle bestimmt

? Absolute Maximalleistungen

Parameter Maximum. Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung -40 V
Identifikation @ TA = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -10V -10,5
Identifikation @ TA = 70°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -10V -8,6
IDM Pulsierter Abfluss-Strom -43
PD @TA = 25°C Verlustleistung 2,5 W
PD @TA = 70°C Verlustleistung 1,6 W
Linearer herabsetzender Faktor 20 mW/°C
VGS Tor-zu-Quellspannung ± 20 V
TJ, TSTG Kreuzung und Lagertemperaturbereich -55 bis + 150 °C

Entwurf des Paket-SO-8

Maße werden gezeigt in den Millimeter (Zoll)

Markierung des Teil-SO-8

BEISPIEL: DIESES IST EIN IRF7101 (MOSFET)

Band SO-8 und Spule

Maße werden gezeigt in den Millimeter (Zoll)

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Auf Lager:
MOQ:
20pcs