Energie FQP50N06 Mosfet-Transistor npn universeller Transistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
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| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| SN74HC00DR | 4211 | TI | 15+ | SOP14 |
| NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| MC33202DR2G | 4227 | AUF | 16+ | SOP8 |
| ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
| SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
| SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
| APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
| 3224W-1-103E | 4300 | BOURNS | 13+ | SMD |
| TNY276GN | 4300 | ENERGIE | 15+ | SOP-7 |
| MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
| HCF4052BEY | 4399 | St. | 16+ | BAD |
| M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | BAD |
| MUR1620CTRG | 4400 | AUF | 14+ | TO-220 |
| IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
| HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
| SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
| GP1A51HR | 4444 | SCHARFES | 13+ | DIP-4 |
| P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
| AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
| AD1955ARSZ | 4457 | ANZEIGE | 16+ | SSOP-28 |
| AMS1083CT-3.3 | 4470 | AMS | 14+ | TO-220 |
| 1N4747A | 4500 | St. | 14+ | DO-41 |
| FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
| INA118P | 4500 | TI | 16+ | DIP-8 |
| IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
| NL17SZ06 | 4500 | AUF | 13+ | SOT553 |
| Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
| STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
| TDA2050 | 4500 | St. | 16+ | REISSVERSCHLUSS |
FQP50N06L
LOGIK 60V N-Kanal MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Diese N-Kanalanreicherungstypenergie-Feldeffekttransistoren werden unter Verwendung eigenen Fairchild, planarer Streifen, DMOS-Technologie produziert.
Diese neue Technologie ist besonders hergestellt worden, um Durchlasswiderstand herabzusetzen, überlegene zugeschaltete Leistung zur Verfügung zu stellen und Hochenergieimpuls im Lawinen- und Umwandlungsmodus widersteht. Diese Geräte sind für Niederspannungsanwendungen wie Automobil-, DC-DC-Konverter und Schaltung der hohen Leistungsfähigkeit für Energiemanagement in den tragbaren und batteriebetriebenen Produkten gut angepasst.
Eigenschaften
• 52.4A, 60V, RDS (an) = 0.021Ω @VGS = 10 V
• Niedrige Torgebühr (typische 24,5 nC)
• Niedriges Crss (typische 90 PF)
• Schnelle Schaltung
• Lawine 100% prüfte
• Verbesserte dv-/dtfähigkeit
• maximale 175°C Grenzschichttemperaturbewertung
Absolute Maximalleistungen TC = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | FQP50N06L | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 60 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab (TC = 25°C) - Ununterbrochen (TC = 100°C) |
52,4 | |
| 37,1 | |||
| IDM | Lassen Sie gegenwärtiges - pulsiert ab (Anmerkung 1) | 210 | |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 20 | V |
| EAS | Einzelne pulsierte Lawinen-Energie (Anmerkung 2) | 990 | mJ |
| IAR | Lawinen-Strom (Anmerkung 1) | 52,4 | |
| OHR | Sich wiederholende Lawinen-Energie (Anmerkung 1) | 12,1 | mJ |
| dv/dt | Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt (Anmerkung 3) | 7,0 | V/ns |
| PD |
Verlustleistung (TC = 25°C) - Setzen Sie über 25°C herab |
121 | W |
| 0,81 | W/°C | ||
| TJ, TSTG | Funktionieren und Lagertemperaturbereich | -55 bis +175 | °C |
| Zeitlimit | Maximale Führungstemperatur zu lötenden Zwecken, 1/8" vom Argument für 5 Sekunden | 300 | °C |
Gehäuseabmessungen
TO-220