Audioenergie IRFR224 mosfet, Oberflächenberg smd Energie mosfet-hohe Leistung
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BESTANDSLISTE
| BD135 | 5000 | PH | 12+ | TO-126 |
| BT151-800R | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| BT152-800R | 5000 | 12+ | TO-220 | |
| BTS410E2 | 5000 | 16+ | TO-263220 | |
| BYM11-800 | 5000 | VISHAY | 16+ | DO-213AB |
| CA3140 | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP8 |
| DS2432P | 5000 | MAXIME | 16+ | SOJ6 |
| ERJ-3EKF3000V | 5000 | Panasonic | 16+ | SMD |
| ERJ-3EKF8062V | 5000 | Panasonic | 14+ | SMD |
| HCPL-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | DIP/SOP |
| HEF4046BP | 5000 | 16+ | BAD | |
| HIN202ECBNZ | 5000 | INTERSIL | 15+ | SOP16 |
| ICL7660CBAZ | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP-8 |
| IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
| IR2112 | 5000 | IR | 12+ | DIP-14 |
| IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | TO-220 |
| KBPC3506 | 5000 | SEPT | 12+ | KBPC |
| KBU808 | 5000 | SEPT | 16+ | KBU-4 |
| L9144 | 5000 | St. | 16+ | SOP-20 |
| L9700D | 5000 | St. | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
| LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | REISSVERSCHLUSS |
| LM2904DR | 5000 | TI | 14+ | SOP-8 |
| LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | TO-92 |
| LM2940CT-5 | 5000 | NS | 16+ | TO-220 |
| LM311DR | 5000 | TI | 15+ | SOP-8 |
| LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
| LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
| LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
| LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | SOT-153 |
| M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
| M95256-WMW6 | 5000 | St. | 16+ | SOP-8 |
| MAX1487ESA | 5000 | MAXIME | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MAX489CPD | 5000 | MAXIME | 16+ | BAD |
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MBR20100CT | 5000 | AUF | 16+ | TO-220 |
| MBRB2060CT | 5000 | AUF | 14+ | TO-263 |
| MC34064D-5R2G | 5000 | AUF | 16+ | SOP8 |
| MCP810T-485I/TT | 5000 | MIKROCHIP | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MOC3021 | 5000 | FAIRCHILD | 15+ | SMD6 |
| MPSA18 | 5000 | AUF | 16+ | TO-92 |
IRFR224
Energie MOSFET-Audioenergie mosfet-smd Energie mosfet
EIGENSCHAFTEN
• Dynamische dV-/dtbewertung
• Sich wiederholende Lawine veranschlagt
• Oberflächenberg (IRFR224/SiHFR224)
• Gerade Führung (IRFU224/SiHFU224)
• Verfügbar im Band und in der Spule
• Schnelle Schaltung
• Leichtigkeit des Vergleichs
• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)
BESCHREIBUNG
MOSFETs Energie der dritten Generation bilden Vishay, den Designer mit der besten Kombination der schnellen Schaltung, des ruggedized Gerätentwurfs, des niedrigen Aufwiderstands und der Wirtschaftlichkeit zu versehen. Das DPAK ist für Aufputzmontage unter Verwendung der Dampfphase, des Infrarots oder Welle solderig Techniken bestimmt. Die gerade Führungsversion (IRFU-/SiHFUreihe) ist für das Durchloch, das Anwendungen anbriCM GROUP. Verlustleistungsniveaus bis 1,5 W sind im typischen Oberflächenberg möglich
Anwendungen.
AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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