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Mosfet lineare Energie Energie IRFR9214 MOSFET universeller mosfet

Mosfet lineare Energie Energie IRFR9214 MOSFET universeller mosfet
Mosfet lineare Energie Energie IRFR9214 MOSFET universeller mosfet
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg D-PAK des P-Kanal-250 V 2.7A (Tc) der Oberflächen-50W (Tc)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDS (V):
-250
RDS (an) (Ω):
VGS = - 10 V /3.0
Qg (Maximum) (nC:
14
Qgs (nC):
3,1
Qgd (nC):
6,8
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

BESTANDSLISTE

NC7SZ04M5X 5000 FAIRCHILD 15+ SOT23-5
PCA82C251 5000 12+ SOP-8
PZTA42T1G 5000 AUF 16+ SOT223
RBV5006 5000 EIC 12+ RBV-4
RUEF250 5000 RAYCHEM 16+ BAD
ST3232ECDR 5000 St. 16+ SOP-16
SW-289 5000 MA/COM 16+ SOP14
TL072CDR 5000 TI 16+ SOP8
TL7705BCP 5000 TI 16+ SOP8
TPS2041BDBVR 5000 TI 14+ SOT23-5
TPS5430DDAR 5000 TI 16+ SOP8
UCLAMP0511P TCT 5000 SEMTECH 16+ MICREL
ULN2003ADRG3 5000 TI 15+ SOP16
SN75C1406N 5002 TI 16+ SOP-16
B340A-13-F 5008 DOIDES 15+ SMA
REG1117-3.3 5008 BB 12+ SOT223
SST25VF032B-80-4I-S2AF 5010 SST 16+ SOP8
TPS79730DCKR 5018 TI 12+ SC70-5
2SC3355 5100 NEC 16+ TO-92
DAC0808LCN 5100 NSC 16+ DIP16
FDS4435 5100 FAIRCHILD 16+ SOP-8
LT1963EST-2.5 5100 LT 16+ SOT-223
X5045P 5100 XICOR 16+ DIP8
DAC7554IDGS 5110 TI 14+ MSOP-10
AM26LV32IDR 5120 TI 16+ SOP16
CS51412EDR8G 5120 AUF 16+ SOP8
LM2940T-12 5120 NS 15+ TO-220
LM6132BIMX 5120 NS 16+ SOP8
RC5057M 5120 FAIRCHILD 15+ SOP16
SN75ALS180DR 5120 TI 12+ SOP-14
UGN3503UA 5120 ALLEGRO 16+ TO-92
BD241C 5123 FSC 12+ TO-220

IRFR9214

Mosfet lineare Energie Energie MOSFET universeller mosfet

EIGENSCHAFTEN

• P-Kanal

• Oberflächenberg (IRFR9214/SiHFR9214)

• Gerade Führung (IRFU9214/SiHFU9214)

• Moderne Verfahrenstechnik

• Schnelle Schaltung

• Völlig Lawine veranschlagt

• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)

BESCHREIBUNG

MOSFETs Energie der dritten Generation von Vishay verwenden moderne Verfahrenstechniken, um niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, dass Energie MOSFETs für weithin bekannt sind, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen. Das DPAK ist für Aufputzmontage unter Verwendung der Dampfphase, des Infrarots oder der lötenden Techniken der Welle bestimmt. Die gerade Führungsversion (IRFU-/SiHFUreihe) ist für Durchlochmontage

Anwendungen. Verlustleistungsniveaus bis 1,5 W

seien Sie in den typischen Oberflächenberganwendungen möglich.

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