Verdoppeln Transistoren eine 30 Volt-Energie-Graben MOSFET-hoher Leistung FDS4935BZ
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
– 30 V
Tor-Quellspannung:
+25 V
Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochen ab:
– 6,9 A
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke:
– qC 55 bis +150
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend:
78 qC/W
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
BESTANDSLISTE
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODUL |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | AUF | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | AUF | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | St. | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODUL |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | BAD |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | IMPULS | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| P0926NL | 8560 | IMPULS | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MODUL |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | WARTUNGSTAFELN | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MODUL |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MODUL |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MODUL |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | AUF | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MODUL |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MODUL |
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | ZYPRESSE | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | St. | 16+ | BAD |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MODUL |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MODUL |
| PC357N1TJ00F | 10000 | SCHARFES | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MODUL |
| 2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MODUL |
| LNK364PN | 4211 | ENERGIE | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MODUL |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MODUL |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MAXIME | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEAR | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MAXIME | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MAXIME | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | AUF | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | BOOM | 15+ | REISSVERSCHLUSS |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | St. | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | TRUNKENBOLD |
FDS4935BZ
Doppel-30 Volt-P-Kanal PowerTrench MOSFET
Eigenschaften
x – 6,9 A, – 30 V. RDS (AN) = 22 m:
@ VGS = – 10 V RDS (AN) = 35 m:
@ VGS = – 4,5 V
x erweiterte VGSS-Strecke (– 25V) für Batterieanwendungen
Schutzdiode x ESD (Anmerkung 3)
x-Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
x-hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit
Allgemeine Beschreibung
Dieser P-Kanal MOSFET ist speziell entworfen worden, um den Gesamtwirkungsgrad von DC-/DCkonvertern entweder unter Verwendung der synchronen oder herkömmlichen Prüfer der Schaltung PWM und der Ladegeräte zu verbessern.
Diese MOSFETs kennzeichnen schnellere Schaltung und untere Torgebühr als andere MOSFETs mit vergleichbaren Spezifikationen RDS (AN). Das Ergebnis ist Entwürfe einer MOSFET, der einfach und sicherer zu fahren (sogar an den Kurzwellen) ist, und DC/DC Stromversorgung mit höherem Gesamtwirkungsgrad.
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