Energie STGB7NC60HDT4 Mosfet-Transistor- schnelle Energie MASCHE IGBT
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| DS1245Y-100 | 1002 | DALLAS | 15+ | TO-92 |
| DS1990A-F5 | 1002 | MAXIME | 16+ | DOSE |
| ICL7135CPIZ | 1002 | INTERSIL | 16+ | BAD |
| IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| K847P | 1002 | VISHAY | 14+ | DIP16 |
| LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
| LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
| MC34074AP | 1002 | AUF | 13+ | DIP14 |
| TC962CPA | 1002 | MIKROCHIP | 15+ | DIP8 |
| VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
| LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
| XC2C64A-7VQG44C | 1005 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| 30344 | 560 | BOSCH | 14+ | QFP |
| AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| NCP1200AP40 | 1008 | AUF | 16+ | DIP8 |
| PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
| ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
| TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
| HT8950 | 1012 | HOLTEK | 16+ | BAD |
| TDA7384 | 1012 | St. | 16+ | REISSVERSCHLUSS |
| CS5550-ISZ | 1022 | CIRRUS | 14+ | SSOP24 |
| LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
| IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
| XCF04SVOG20C | 1034 | XILINX | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MC34084P | 1050 | AUF | 16+ | DIP-14 |
| DAC1220E | 1077 | TI | 13+ | SSOP16 |
| AT91SAM7X256-AU | 1088 | ATMEL | 15+ | QFP |
| 74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
| ADM2582EBRWZ | 1100 | ANZEIGE | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N-KANAL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D ² PAK
Sehr schnelles PowerMESH™ IGBT
■NIEDRIGERER ON-VOLTAGE TROPFEN (Vcesat)
■WEG VON DEN VERLUSTEN SCHLIESSEN SIE ENDSTÜCK-STROM EIN
■VERLUSTE UMFASSEN DIODEN-WIEDERAUFNAHME-ENERGIE
■SENKEN SIE CRES-/CIESverhältnis
■HOCHFREQUENZoperation BIS 70 kHz
■WEICHE ULTRASCHNELLE WIEDERAUFNAHME-PARALLELE ANTIDIODE
■PRODUKTE DER NEUEN GENERATION MIT FESTERER PARAMETER-VERTEILUNG
BESCHREIBUNG
Unter Verwendung der spätesten Hochspannungstechnik, die auf einem patentierten Streifenplan basiert, hat STMicroelectronics eine moderne Familie von IGBTs, das PowerMESH™ IGBTs, mit hervorragenden Leistungen entworfen. Das Suffix „H“ identifiziert eine Familie, die für Hochfrequenzanwendungen optimiert wird, um die sehr hohen zugeschalteten Leistungen (verringertes tfall) zu erzielen einen Niederspannungstropfen mantaining.
ANWENDUNGEN
■HOCHFREQUENZinverter
■SMPS UND PFC IN BEIDEN HARTER SCHALTER UND RESONANZtopologien
■LOKFÜHRER
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | |
|
STGP7NC60HD STGB7NC60HD |
STGF7NC60HD | |||
| VCES | Kollektor-Emitter-Spannung (VGS = 0) | 600 | V | |
| VECR | Emitter-Kollektor-Spannung | 20 | V | |
| VGE | Tor-Emitter-Spannung | ±20 | V | |
| IC | Kollektorstrom (ununterbrochen) an TC = 25°C (#) | 25 | 10 | |
| IC | Kollektorstrom (ununterbrochen) an TC = 100°C (#) | 14 | 6 | |
| ICM (? 1) | Kollektorstrom (pulsiert) | 50 | ||
| WENN | Diode Effektivwert-Vorwärtsstrom an TC = 25°C | 20 | ||
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 80 | 25 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 0,64 | 0,20 | W/°C | |
| VISO |
Isolierungs-Widerstands-Spannung Wechselstrom. (t = 1 sek; Tc = 25°C) |
- | 2500 | V |
| Tstg | Lagertemperatur | – 55 bis 150 | °C | |
| Tj | Funktionierende Grenzschichttemperatur | |||
(1?) Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Abbildung 1: Paket
Abbildung 2: Internes schematisches Diagramm
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC