Universeller Transistor Energie BC327-40 Mosfet-Transistors PNP
power mosfet ic
,silicon power transistors
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Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | SCHLÜCKCHEN |
F65550B | 1918 | CHIPS | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | SOP-8 |
FAN1112DX | 20504 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FAN3225TMPX | 3081 | FAIRCHILD | 16+ | DFN-8 |
FAN3225TMX | 5365 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FAN6862TY | 13420 | FAIRCHILD | 16+ | SSOT-6 |
FAN9612MX | 7548 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | FAIRCHILD | 15+ | TO-263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
FDB3632 | 8071 | FAIRCHILD | 14+ | TO-263 |
FDC6330L | 7527 | FAIRCHILD | 04+ | SOT-163 |
FDC6420C | 20575 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-163 |
FDD4141 | 9286 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FDD850N10L | 20646 | FAIRCHILD | 11+ | TO-252 |
FDH055N15A | 7591 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FDL100N50F | 3233 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
FDLL4148 | 25000 | FAIRCHILD | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | FAIRCHILD | 13+ | QFN-8 |
FDMS86520L | 7901 | FAIRCHILD | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | FAIRCHILD | 16+ | QFN-8 |
FDMS8692 | 20717 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
Universeller Transistor BC327 PNP
EIGENSCHAFTEN
• Hohes gegenwärtiges (Maximum 500 MA)
• Niederspannung (Maximum 45 V).
ANWENDUNGEN
• Universelle Schaltung und Verstärkung, z.B. Fahrer und Endstufen von Audioverstärkern.
BESCHREIBUNG
PNP-Transistor in einem TO-92; Plastikpaket SOT54. NPN-Ergänzung: BC337.
GRENZWERTE
In Übereinstimmung mit dem absoluten Maximalleistungs-System (Iec 134).
SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | Min. | MAXIMUM. | EINHEIT |
VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | offener Emitter | − | −50 | V |
VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | offene Basis | − | −45 | V |
VEBO | Emitterbasisspannung | Open-Collector | − | −5 | V |
IC | Kollektorstrom (DC) | − | −500 | MA | |
ICM | Höchstkollektorstrom | − | −1 | ||
IBM | niedriger Höchststrom | − | −200 | MA | |
Ptot | Gesamtleistungsableitung | Tamb-≤ 25 °C; Anmerkung 1 | − | 625 | mW |
Tstg | Lagertemperatur | −65 | +150 | °C | |
Tj | Grenzschichttemperatur | − | 150 | °C | |
Tamb | funktionierende umgebende Temperatur | −65 | +150 | °C |
Transistor der Anmerkungs-1. brachte an einer Leiterplatte FR4 an.
Fig.1 vereinfachte Entwurf (TO-92; SOT54) und Symbol.