MOSFET N-Kanal Energie FQP30N06 Mosfet-Transistorenergie mosfet IC
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | FREESCALE | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | MIKROCHIP | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | MIKROCHIP | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | MIKROCHIP | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | MIKROCHIP | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | MIKROCHIP | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I/TT | 22350 | MIKROCHIP | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | MIKROCHIP | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | MIKROCHIP | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | MIKROCHIP | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | MIKROCHIP | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | MIKROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | MIKROCHIP | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | MIKROCHIP | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | MIKROCHIP | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | MIKROCHIP | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN | 7708 | MIKROCHIP | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO | 8974 | MIKROCHIP | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551-I/SN | 7779 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN | 3957 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5841 | MIKROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5770 | MIKROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | MIKROCHIP | 15+ | BAD |
| MCP3421AOT-E/CH | 12828 | MIKROCHIP | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN | 3875 | MIKROCHIP | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424-E/SL | 8273 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551-E/SN | 7817 | MIKROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN | 4450 | MIKROCHIP | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100-I/SN | 3572 | MIKROCHIP | 15+ | SOP-8 |
FQP30N06
N-Kanal 60V MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Diese N-Kanalanreicherungstypenergie-Feldeffekttransistoren werden unter Verwendung eigenen Fairchild, planarer Streifen, DMOS-Technologie produziert.
Diese neue Technologie ist besonders hergestellt worden, um Durchlasswiderstand herabzusetzen, überlegene zugeschaltete Leistung zur Verfügung zu stellen und Hochenergieimpuls im Lawinen- und Umwandlungsmodus widersteht. Diese Geräte sind für Niederspannungsanwendungen wie Automobil-, DC-DC-Konverter und Schaltung der hohen Leistungsfähigkeit für Energiemanagement in den tragbaren und batteriebetriebenen Produkten gut angepasst.
Eigenschaften
• 30A, 60V, RDS (an) = 0.04Ω @VGS = 10 V
• Niedrige Torgebühr (typische 19 nC)
• Niedriges Crss (typische 40 PF)
• Schnelle Schaltung
• Lawine 100% prüfte
• Verbesserte dv-/dtfähigkeit
• maximale 175°C Grenzschichttemperaturbewertung
Absolute Maximalleistungen TC = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | FQP30N06 | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 60 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab (TC = 25°C) - Ununterbrochen (TC = 100°C) |
30 | |
| 21,3 | |||
| IDM | Lassen Sie gegenwärtiges - pulsiert ab (Anmerkung 1) | 120 | |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 25 | V |
| EAS | Einzelne pulsierte Lawinen-Energie (Anmerkung 2) | 280 | mJ |
| IAR | Lawinen-Strom (Anmerkung 1) | 30 | |
| OHR | Sich wiederholende Lawinen-Energie (Anmerkung 1) | 7,9 | mJ |
| dv/dt | Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt (Anmerkung 3) | 7,0 | V/ns |
| PD |
Verlustleistung (TC = 25°C) - Setzen Sie über 25°C herab |
79 | W |
| 0,53 | W/°C | ||
| TJ, TSTG | Funktionieren und Lagertemperaturbereich | -55 bis +175 | °C |
| Zeitlimit | Maximale Führungstemperatur zu lötenden Zwecken, 1/8" vom Argument für 5 Sekunden | 300 | °C |

