IRFB20N50KPBF-Energie Mosfet-Transistorenergie mosfet IC
Spezifikationen
Pulsed Drain Current:
80 A
Power Dissipation:
280 W
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 30 V
Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt:
6,9 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150°C
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
MMBT5401LT1G | 27000 | AUF | 16+ | SOT-23 |
MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
MMBT5551LT1G | 15000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
MMBT6427 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
MMBTA06-7-F | 9000 | DIODEN | 15+ | SOT-23 |
MMBTA13LT1G | 9000 | AUF | 16+ | SOT-23 |
MMBTA14 | 6000 | FSC | 05+ | SOT23-3 |
MMBTA42LT1G | 9000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
MMBZ5230BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
MMBZ5234BLT1G | 18000 | AUF | 15+ | SOT-23 |
MMBZ5248BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
MMBZ5257BLT1G | 18000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
MMBZ5V6ALT1G | 18000 | AUF | 10+ | SOT-23 |
MMSZ2V4T1G | 12000 | AUF | 14+ | SOD-123 |
MMSZ2V7T1G | 9000 | AUF | 16+ | SOD-123 |
MMSZ4681T1G | 12000 | AUF | 15+ | SOD-123 |
MMSZ4684T1G | 12000 | AUF | 15+ | SOD-123 |
MMSZ4689T1G | 9000 | AUF | 16+ | SOD-123 |
MMSZ5234B-7-F | 12000 | DIODEN | 12+ | SOD-123 |
MMSZ5243BT1G | 21000 | LRC | 15+ | SOD-123 |
MMSZ5250BT1G | 21000 | AUF | 16+ | SOD-123 |
MMSZ5254BT1G | 9000 | AUF | 14+ | SOD-323 |
MMSZ5255B | 9000 | DIODEN | 16+ | SOD-123 |
MMSZ6V2T1G | 9000 | AUF | 13+ | SOD-123 |
MOC3022S-TA1 | 22000 | LITEON | 15+ | SMD |
MOC3023M | 14343 | FSC | 16+ | DIP-6 |
MOC3023SR2M | 7397 | FSC | 16+ | SOP-6 |
MOC3023S-TA1 | 30000 | LITEON | 14+ | SMD-6 |
MOC3030 | 6391 | FSC | 14+ | DIP-6 |
IRFB20N50KPbF SMPS MOSFET
HEXFET? Energie MOSFET
Anwendungen
- Schalter-Modus-Stromversorgung (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Hochgeschwindigkeitsenergie-Schaltung
- Stark und Hochfrequenzwählverbindungen
- Bleifrei
Nutzen
- Niedrige Tor-Gebühr-Qg-Ergebnisse in der einfachen Antriebs-Anforderung
- Verbessertes Tor, Lawine und Dynamicdv-/dtrauhheit
- Völlig gekennzeichnete Kapazitanz und Lawinendurchbruchsspannung und Strom
- Niedriges RDS (an)
Absolute Maximalleistungen
Parameter | Maximum. | Einheiten | |
Identifikation @ TC = 25°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 20 | |
Identifikation @ TC = 100°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 12 | |
IDM | Pulsierter Abfluss-Strom? | 80 | |
PD @TC = 25°C | Verlustleistung | 280 | W |
Linearer herabsetzender Faktor | 2,2 | W/°C | |
VGS | Tor-zu-Quellspannung | ± 30 | V |
dv/dt | Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt | 6,9 | V/ns |
TJ TSTG |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
-55 bis + 150 | °C |
Löttemperatur, für 10 Sekunden (1.6mm vom Fall) | 300 | °C | |
Befestigung Drehmoment, 6-32 oder Schraube M3 | 10 | N |
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