2SA1761, F (J-Energie Mosfet-Transistor-Elektronik-Komponenten brechen IC-Elektronik ab
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
– 55°C zu +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
6V
Current:
3A
Package:
TO-92
Factory Package:
AMMO
Höhepunkt:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Einleitung
Energie 2SA1761 Mosfet-Transistor-Elektronik-Komponenten brechen IC-Elektronik ab
• Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: VCE (saß), = −0.5 V (maximal) (IC = −0.5 A)
• Hochgeschwindigkeitsschaltung: tstg = 0,2 μs (Art.)
• Ergänzend zu 2SC4604.
Ein Teil der Bestandsliste
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MIKROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SCHARFES | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MIKROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St. | 135 | SOP-24 |
| KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MIKROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St. | 628 | TO-3P |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Absolute Maximalleistungen
| Eigenschaften | Symbol | Bewertung | Einheit |
| Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | -60 | V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | -50 | V |
| Emitter-Basisspannung | VEBO | -6 | V |
| Kollektorstrom | IC | -3 | |
| Niedriger Strom | IB | -0,6 | |
| Kollektorverlustleistung | PC | 900 | mW |
| Grenzschichttemperatur | Tj | 150 | °C |
| Lagertemperaturbereich | Tstg | -55 bis +150 | °C |
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