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Energie SPW47N60CFDFKSA1 Mosfet-Transistorhochspannungsenergie mosfet

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-source breakdown voltage:
600 V
Avalanche breakdown voltage:
700 V
Gate threshold voltage:
4 V
Gate-source leakage current:
100 nA
Gate resistance:
0.62 Ω
Input capacitance:
7700 pF
Output capacitance:
2200 pF
Reverse transfer capacitance:
77 pF
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Einleitung

Leistungstransistor SPW47N60CFD CoolMOSTM

Eigenschaften

• Neue revolutionäre Hochspannungstechnik

• Tatsächliche Schnellwiederaufnahmekörperdiode

• Extrem - niedrige Rückwiederaufnahmegebühr

• Ultra niedrige Torgebühr

• Extremes dv /dt veranschlagte

• Hohe Spitzenstromfähigkeit

• Periodische Lawine veranschlagte

• Qualifiziert entsprechend JEDEC1) für Zielanwendungen

• Pb-freier Führungsüberzug; RoHS konform

Produkt-Zusammenfassung

VDS 600 V
RDS (an), maximal 0,083
Identifikation 46

Maximalleistungen, an °C Tj =25, wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Bedingungen Wert Einheit
Ununterbrochener Abflussstrom Identifikation

°C TC =25

°C TC =100

46

29

Pulsierter Abflussstrom1) Identifikation, Impuls °C TC =25 115
Lawinenenergie, Einzelimpuls EAS IDENTIFIKATION =10 A, VDD =50 V 1800 mJ
Lawinenenergie, sich wiederholender Teer 2), 3) OHR IDENTIFIKATION =20 A, VDD =50 V 1 mJ
Lawine gegenwärtig, sich wiederholender Teer 2), 3) IAR 20
Lassen Sie Quellspannungssteigung ab dv /dt Identifikation =46 A, VDS =480 V, °C Tj =125 80 V/ns
Rückdiode dv /dt dv /dt IST =46 A, VDS =480 V, °C Tj =125 40 V/ns
Maximale Diodenumwandlungsgeschwindigkeit di /dt 600 A/µs
Gate-Source-Spannung VGS

statisch

Wechselstrom (f >1 Hz)

±20

±30

V
Verlustleistung Ptot °C TC =25 417 W
Funktionieren und Lagertemperatur Tj, Tstg -55… 150 °C

1) J-STD20 und JESD22

2) Impulsbreiten-TP begrenzt durch Tj, maximal

3) Sich wiederholende Lawine verursacht zusätzliche Leistungsabfälle, die als PAV-=EAR*f berechnet werden können

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
TJLC-001LA1 9120 St. 15+ RJ45
RJK03B7DPA-0G-J7A 8620 RENESAS 16+ RENESAS
RJP30E4DPE 7860 RENESAS 16+ RENESAS
UPS161 1450 AU 10+ QFP80
S1D13705F00A200 857 EPSON 16+ QFP80
TDA9586H/N3/3/1809 1301 07+ QFP80
TDA9555H/N1/3I1098 1205 PHI 05+ QFP80
UPSD3354D-40U6 365 St. 16+ QFP80
SD4002 992 AUK 16+ QFP64
TLE6244X 2200 1026+ QFP64
STLC5046BCL 2345 St. 16+ QFP64
STM32F100RBT6B 2498 St. 15+ QFP64
STM32F103KBT6 2501 St. 14+ QFP64
STM32F373RCT6 968 St. 14+ QFP64
STR711FR1T6 1352 St. 16+ QFP64
STR755FR2T6 1247 St. 14+ QFP64
STV0297D 2980 St. 06+ QFP64
UE06AB6 1724 St. 16+ QFP64
PT6311B 21936 PTC 16+ QFP52
R5F21256SNFP 1310 RENESAS 10+ QFP52
SL811HST-AXC 1820 ZYPRESSE 16+ QFP48
VNC1L-1A 749 FTDI 13+ QFP48
UPD720114GA-YEU-A 15504 NEC 16+ QFP48
TDA8007BHL/C3 2177 16+ QFP48
TDA8007BHL/C2 2306 PHILIPS 04+ QFP48
RTL8111DL-GR 14216 REALTEK 16+ QFP48
RTL8111DL-VB-GR 7776 REALTEK 16+ QFP48
RTL8201CL-VD-LF 17408 REALTEK 14+ QFP48
RTL8211CL 16062 REALTEK 11+ QFP48
STM32F101C8T6 3474 St. 16+ QFP48

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