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Kanal-Logik PowerTrench MOSFET FDS6990A-Energie Mosfet-Transistor-Doppeln

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-Source Voltage:
30 V
Gate-Source Voltage:
± 20 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +150 °C
Storage Temperature:
–55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
40 °C/W
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Einleitung

Kanal-Logik PowerTrench MOSFET FDS6990A-Energie Mosfet-Transistor-Doppeln

Allgemeine Beschreibung

Diese MOSFETs des N-Kanal-logischen Zustandes werden unter Verwendung modernen das PowerTrench-Prozesses Fairchild-Halbleiters, der besonders hergestellt worden ist, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen, und doch überlegene, zugeschaltete Leistung beizubehalten produziert.

Diese Geräte sind für Niederspannung und batteriebetriebene Anwendungen gut angepasst, in denen niedriger Inline-Leistungsabfall und schnelle Schaltung angefordert werden.

Eigenschaften

· 7,5 A, 30 V. RDS (AN) = 18 mW @ VGS = 10 V

RDS (AN) = 23 mW @ VGS = 4,5 V

· Schnelle Schaltverzögerung

· Niedrige Torgebühr

· Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)

· Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit

Absolute Maximalleistungen TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt

Symbol Parameter Bewertungen Einheiten
VDSS Abfluss-Quellspannung 30 V
VGSS Tor-Quellspannung ± 20 V
Identifikation

Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochen ab (Anmerkung 1a)

– Pulsiert

7,5
20
PD

Verlustleistung für einzelne Operation (Anmerkung 1a)

(Anmerkung 1b)

(Anmerkung 1c)

1,6 W
1,0
0,9
TJ, TSTG Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke – 55 bis +150

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket

G5V-1-DC9 6255 OMRON 15+ BAD
G5V-2-12VDC 7727 OMRON 14+ BAD
G60N100BNTD 3498 FAIRCHILD 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 OMRON 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 GITTER 16+ DIP-20
GBL08-E3/51 13704 VISHAY 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4/51 8669 VISHAY 16+ DIP-4
GBU408 90000 SEPT 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 VISHAY 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 St. 13+ MODUL
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ LQFP-48
GL865 VERDOPPELN 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 VISHAY 10+ Na
GP1S094HCZ0F 5752 SCHARFES 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 VISHAY 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 VISHAY 15+ SOT-23
GVA-63+ 8824 MINI 15+ SOT-23
GVA-84+ 4397 MINI 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ SOP-6
H11AA4 15037 FAIRCHILD 14+ BAD
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ SOP-6

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Bild Teil # Beschreibung
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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

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Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

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2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

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Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

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DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

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BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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10pcs