NDS9952A-Energie Mosfet-Transistor Doppeln u. P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor
power mosfet ic
,multi emitter transistor
NDS9952A
Doppeln- u. P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
Allgemeine Beschreibung
Dieses werden Doppeln- und P-Kanalanreicherungstypenergiefeldeffekttransistoren unter Verwendung eigenen Fairchild, hohe Zelldichte, DMOS-Technologie produziert. Dieser sehr Prozess mit hoher Dichte wird besonders hergestellt, um Durchlasswiderstand herabzusetzen, überlegene zugeschaltete Leistung zur Verfügung zu stellen, und Hochenergieimpulsen in den Lawinen- und Umwandlungsmodi zu widerstehen. Diese Geräte werden besonders für Niederspannungsanwendungen wie Notebookenergiemanagement und andere batteriebetriebene Stromkreise entsprochen, in denen schnelle Schaltung, niedriger Inline-Leistungsabfall und Widerstand zu den Ausgleichströmen erforderlich sind.
Eigenschaften
- N-Kanal 3.7A, 30V, RDS (AN) =0.08W @ VGS =10V.
- P-Kanal -2.9A, -30V, RDS (AN) =0.13W @ VGS =-10V.
- Zellentwurf mit hoher Dichte oder extrem - niedriges RDS (AN).
- Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit in einem weitverbreiteten Oberflächenbergpaket.
- Doppel (N u. P-Kanal) MOSFET im Oberflächenbergpaket.
Absolute Maximalleistungen TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | N-Kanal | P-Kanal | Einheiten |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 30 | -30 | V |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ± 20 | ± 20 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab (Anmerkung 1a) - Pulsiert |
± 3,7 | ± 2,9 | |
| ± 15 | ± 150 | |||
| PD | Verlustleistung für logisch-duale Operation | 2 | W | |
|
Verlustleistung für einzelne Operation (Anmerkung 1a) (Anmerkung 1b) (Anmerkung 1c) |
1,6 | |||
| 1 | ||||
| 0,9 | ||||
| TJ, TSTG | Funktionieren und Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C | |
Anmerkungen: 1. ist RθJA die Summe des Kreuzung-zufalles und des Fall-zu-umgebenden thermischen Widerstands, in dem der thermische Hinweis des Falles als die LötmittelBefestigungsfläche der Abflussstifte definiert wird. RθJC wird mit Absicht garantiert, während RθCA durch den Leiterplattenentwurf des Benutzers bestimmt wird.
Typisches RθJA für Einzelgeräteoperation unter Verwendung der Brettpläne unten gezeigt auf 4,5"“ FR-4 x5 PWB in einer ruhigen Luftumwelt:
a. 78℃/W, als an 0,5 in Auflage2 von cpper 2oz anbrachte.
b. 125℃/W, als an 0,02 in Auflage2 von cpper 2oz anbrachte.
c. 135℃/W, als an 0,003 in Auflage2 von cpper 2oz anbrachte.
Skala 1: 1 auf Format 8 1/2 x 11"
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| LTC4301CMS8 | 4300 | LINEAR | 16+ | MSOP-8 |
| LTC4311ISC6 | 3092 | LT | 15+ | SC70 |
| LTC4357CMS8#PBF | 3990 | LINEAR | 16+ | MSOP-8 |
| LTC4365CTS8 | 4339 | LINEAR | 16+ | SOT-23 |
| LTC4365CTS8#TRPBF | 4310 | LINEAR | 15+ | SOT23-6 |
| LTC4425EMSE#TRPBF | 2954 | LINEAR | 16+ | MSOP-12 |
| LTC6903CMS8#PBF | 6610 | LT | 14+ | MSOP-8 |
| LTC6903IMS8#PBF | 5190 | LT | 11+ | MSOP-8 |
| LTC6908IS6-1 | 3669 | LT | 16+ | SOT23-6 |
| LTC6930CMS8-4.19#PBF | 6620 | LT | 16+ | MSOP-8 |
| LTM8045IY#PBF | 2038 | LINEAR | 12+ | BGA40 |
| LTST-C150KSKT | 12000 | LITEON | 13+ | SMD |
| LTST-C170KGKT | 9000 | LITEON | 15+ | LED |
| LTST-C171KRKT | 9000 | LITEON | 16+ | SMD |
| LTST-C190KGKT | 9000 | LITEON | 15+ | SMD0603 |
| LTST-C191KGKT | 12000 | LITEON | 16+ | SMD |
| LTST-C193KRKT-5A | 21000 | LITEON | 15+ | SMD |
| LTST-S220KRKT | 116000 | LITE-ON | 16+ | LED |
| LTV354T | 18000 | LITEON | 14+ | SOP-4 |
| LTV-356T | 119000 | LITEON | 14+ | SMD-4 |
| LTV356T-D | 47000 | LITEON | 14+ | SOP-4 |
| LTV4N25 | 72000 | LITEON | 16+ | BAD |
| LTV817C | 12000 | LITEON | 14+ | BAD |
| LTV-817S-TA1-A | 56000 | LITE-ON | 13+ | SMD-4 |
| LTV827 | 62000 | LITEON | 16+ | DIP-8 |
| LTV847S | 19474 | LITEON | 13+ | SOP-16 |
| LX6503IDW | 9119 | MSC | 09+ | SOP-16 |
| LXT6234QE BO | 4013 | INTEL | 16+ | QFP100 |
| LXT980AHC | 740 | INTEL | 13+ | QFP208 |
| M13S2561616A-5T | 9090 | ESMT | 14+ | TSSOP |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC