FZT653TA Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Silizium-Planar-Hochleistungstransistor
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
Kategorie:
Programmierbarer IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-Base Voltage:
120 V
Collector-Emitter Voltage:
100 V
Emitter-Base Voltage:
5 V
Peak Pulse Current:
6 A
Continuous Collector Current:
2 A
Operating and Storage Temperature:
-55 to +150 °C
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Array
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10pcs