IRFD120 Leistungs-MOSFET-Transistor, elektrischer IC, N-Kanal-Leistungs-MOSFET
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Kategorie:
Energie-Management IC
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain to Source Breakdown Voltage:
100 V
Drain to Gate Voltage:
100 V
Continuous Drain Current:
1.3 A
Pulsed Drain Current:
5.2 A
Maximum Power Dissipation:
1.0 W
Operating and Storage Temperature:
-55 to 150 ℃
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Array
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MOQ:
10pcs