IRLL024NTRPBF Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET® Leistungs-MOSFET mit schneller Schaltung
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Kategorie:
Energie-Management IC
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Pulsed Drain Current:
12 A
Linear Derating Factor:
8.3 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±16 V
Single Pulse Avalanche Energy:
120 mJ
Avalanche Current:
3.1 A
Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150 °C
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Array
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MOQ:
10pcs