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Energie FDS6975 Mosfet-Modul Doppelp - Kanal, PowerTrenchTM MOSFET

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab:
-6 A
Verlustleistung für logisch-duale Operation:
2 W
Funktionieren und Lagertemperatur:
°C -55 bis 150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

FDS6975 Doppelp-kanal, logischer Zustand, PowerTrenchTM MOSFET

Allgemeine Beschreibung

Diese MOSFETs des P-Kanal-logischen Zustandes werden unter Verwendung modernen das PowerTrench-Prozesses Fairchild-Halbleiters, der besonders hergestellt worden ist, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen, und doch niedrige, Torgebühr für überlegene zugeschaltete Leistung beizubehalten produziert.

Diese Geräte sind für Notebookanwendungen gut angepasst: Lastsschaltung und Energiemanagement, Batterieakkuladeschaltungen und DC-/DCumwandlung.

Eigenschaften

• -6 A, -30 V. RDS (AN) = 0,032 W @ VGS = -10 V,

RDS (AN) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.

• Niedrige Torgebühr (14.5nC typisch).

• Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN).

• Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit.

Absolute Maximalleistungen TA = 25℃ wenn nicht anders vermerkt

Symbol Parameter Bewertungen Einheiten
VDSS Abfluss-Quellspannung -30 V
VGSS Tor-Quellspannung ±20 V
Identifikation

Lassen Sie gegenwärtiges - ununterbrochen ab (Anmerkung 1a)

- Pulsiert

-6
-20
PD Verlustleistung für logisch-duale Operation 2 W

Verlustleistung für einzelne Operation (Anmerkung 1a)

(Anmerkung 1b)

(Anmerkung 1c)

1,6
1
0,9
TJ, TSTG Funktionieren und Lagertemperaturbereich -55 bis 150 °C

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN

RθJA Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 1a) 78 °C/W
RθJC Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 1) 40 °C/W

Anmerkungen:

1. RθJA ist die Summe des Kreuzung-zufalles und des Fall-zu-umgebenden thermischen Widerstands, in dem der thermische Hinweis des Falles als die LötmittelBefestigungsfläche der Abflussstifte definiert wird. RθJC wird mit Absicht garantiert, während RθCA durch den Leiterplattenentwurf des Benutzers bestimmt wird.

2. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2,0%.

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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20pcs