Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > BTA08-600BW3G Energie Mosfet-Transistor 8A TRIAC TRIAC-SNUBBERLESS

BTA08-600BW3G Energie Mosfet-Transistor 8A TRIAC TRIAC-SNUBBERLESS

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
RMS on-state current (full sine wave):
8 A
I² t Value for fusing:
36 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Reihe BTA/BTB08 und T8

SNUBBERLESS™, LOGISCHER ZUSTAND U. STANDARD

TRIAC 8A

HAUPTMERKMALE:

Symbol Wert Einheit
IT (EFFEKTIVWERT) 8
VDRM/VRRM 600 und 800 V
IGT (Q1) 5 bis 50 MA

BESCHREIBUNG

Verfügbar entweder in den Durchloch- oder Oberflächebergpaketen, in der Reihe des TRIAC BTA/BTB08 und T8 ist für universelle Wechselstrom-Schaltung passend. Sie können als AN/AUS-Funktion in den Anwendungen benutzt werden wie statischen Relais, Heizungsregelung, der Induktionsmotor, der Stromkreise… anstellt oder für Phasenkontrollfunktion in den hellen Dimmern, Motordrehzahlprüfer,…

Die snubberless Versionen (BTA/BTB… Reihe W und T8) werden besonders für Gebrauch auf induktiven Belastungen, dank ihre hohen Umwandlungsleistungen empfohlen. Indem sie eine interne keramische Auflage verwendet, liefert die BTA-Reihe Spannung der Isoliervorsprung (veranschlagt an Effektivwert 2500V) übereinstimmend mit UL-Standards (Dateiverweis: E81734)

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN

Symbol Parameter Wert Einheit
IT (EFFEKTIVWERT) Effektiver Durchlassstrom (volle Sinuswelle)

DPAK/D-² PAK

IPAK/TO-220AB

Tc = 110°C 8
TO-220AB Ins. Tc = 100°C
ITSM Höchstdurchlassstrom des nicht sich wiederholenden Anstiegs (voller Zyklus, Tj Anfangs= 25°C) F = 50 Hz t = Frau 20 80
F = 60 Hz t = Frau 16,7 84
I-² t Ich ² t Wert für die Fixierung TP = Frau 10 36 Ein ² s
dI/dt

Kritische Rate des Aufstieges des Durchlassstroms

IG = 2 x IGT, tr-≤ 100 ns

F = 120 Hz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Höchsttorstrom TP = 20 µs Tj = 125°C 4
SEITE (HANDELS) Durchschnittliche Torverlustleistung Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Speichergrenzschichttemperaturstrecke

Funktionierende Grenzschichttemperaturstrecke

- 40 bis + 150

- 40 bis + 125

°C

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 TI 14+ QFP
PE-65351 654 IMPULS 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ Na
TEA1523P 866 PHILIPS 16+ DIP8
AT24C512C-SSHD 972 AN 16+ SOP8
ADG5433BRUZ 1078 Fluglageanzeiger 13+ TSSOP
740L6001 1184 FAIRCHILD 15+ DIPSOP6
EM2860 1290 EMPIA 16+ QFP
TDA7386 1396 St. 16+ REISSVERSCHLUSS
M48Z35-70PC1 1502 St. 14+ BAD
C8051F320-GQR 1608 SILIKON 14+ QFP
PIC16C622A-04I/P 1714 MIKROCHIP 14+ BAD
MX29GL128ELT2I-90G 1820 MXIC 16+ TSOP-56
BTS621L1 1926 16+ TO-263
HCNW2611 2032 AVAGO 13+ SOP-8
STM32F103C8T6 2138 St. 15+ LQPF48
LT3756EMSE-2#PBF 2244 LT 16+ MSOP-16
BD82QM67/SLJ4M 2350 INTEL 16+ BGA
A3977SEDTR 2456 ALLEGRO 14+ PLCC44
RHRG30120 2562 FSC 14+ TO-3P
FT232RL 2668 FTDI 14+ SSOP28
L6228D 2774 St. 16+ SOP24
LPC2136 2880 16+ LQFP64
1N4937 2986 AUF 13+ DO-41
5KP24A 3092 VISHAY 15+ R-6
74C922N 3198 FSC 16+ BAD
IRF1404PBF 3304 IR 16+ TO-220
M41T94MQ6 3410 St. 14+ SOP-16
OP275G 3516 ANZEIGE 14+ DIP-8

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
20pcs