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BTA24-600BWRG Energie mosfet-Modul 25 ein Standard und Snubberless-TRIAC

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
I² t Value for fusing:
340 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125°C
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

BTA24, BTB24, BTA25

BTA26, BTB26, T25

Ein 25 Standard und Snubberless™-TRIAC

Eigenschaften

Hoher gegenwärtiger TRIAC

■Niedriger thermischer Widerstand mit Clipabbinden

■Hohe Umwandlung (4 Quadrant) oder sehr hohe Fähigkeit der Umwandlung (3 Quadrant)

■BTA-Reihe UL1557 bestätigt (Dateihinweis: 81734)

■Pakete sind RoHS (2002/95/EC) konform

Anwendungen

Anwendungen umfassen die AN/AUS-Funktion in den Anwendungen wie statischen Relais, Heizungsregelung, Induktionsmotor, der Stromkreise anstellen, etc. oder für Phasenkontrollfunktion in den hellen Dimmern, Motordrehzahlprüfer, und silmilar.

Die snubberless Versionen (BTA/BTB… Reihe W und T25) werden besonders für Gebrauch auf induktiven Belastungen empfohlen, wegen ihrer hohen Umwandlungsleistungen. Die BTA-Reihe liefert einen Isoliervorsprung (veranschlagt bei 2500 VRMS).

Beschreibung

Verfügbar entweder in den Durchloch- oder Oberflächebergpaketen, in der Reihe des TRIAC BTA24, BTB24, BTA25, BTA26, BTB26 und T25 ist für universelle Netzspannung Wechselstrom-Schaltung passend.

Absolute Maximalleistungen

Symbol Parameter Wert Einheit
IT (EFFEKTIVWERT) Effektiver Durchlassstrom (volle Sinuswelle) TOP3 Tc = 105°C 25
D2PAK/TO-220AB Tc = 100°C
RD91 Ins/TOP3 Ins. Tc = 100°C
TO-220AB Ins. Tc = 75°C
ITSM Höchstdurchlassstrom des nicht sich wiederholenden Anstiegs (voller Zyklus, Tj zuerst = 25° C) F = 50 Hz t = Frau 20 250
F = 60 Hz t = Frau 16,7 260
I-² t Ich ² t Wert für die Fixierung TP = Frau 10 340 Ein ² s
dI/dt

Kritische Rate des Aufstieges des Durchlassstroms

IG = 2 x IGT, tr-≤ 100 ns

F = 120 Hz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Ausschaltspannung der nicht sich wiederholenden Anstiegsspitze TP = Frau 10 Tj = 25°C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Höchsttorstrom TP = 20 µs Tj = 125°C 4
SEITE (HANDELS) Durchschnittliche Torverlustleistung Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Speichergrenzschichttemperaturstrecke

Funktionierende Grenzschichttemperaturstrecke

- 40 bis + 150

- 40 bis + 125

°C

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
HD74LS86 771 HITACHI 13+ DIP14
MID400 771 FAIRCHILD 15+ SOP8
PIC16F876A-I/SO 771 MIKROCHIP 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
J0026D01BNL 777 IMPULS 16+ RJ45
AF4502C 780 ANACHIP 14+ SOP-8
ACS712ELCTR-20A 782 ALLEGRO 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
IRF520 782 IR 14+ TO-220
IRFB4710 782 IR 16+ TO-220
CD4099BE 785 TI 16+ BAD
ENC28J60-I/SO 785 MIKROCHIP 13+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
BTA41-800B 795 St. 15+ TO-3P
PIC16F883-I/SO 799 MIKROCHIP 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
2SD1406-Y 800 TOS 16+ TO-3P
TOP414GN 800 ENERGIE 14+ SOP-8
TDA7253 802 St. 14+ REISSVERSCHLUSS
L4960 822 St. 14+ REISSVERSCHLUSS
STPS1045D 822 St. 16+ TO-220
AP919 881 WERTIGKEIT 16+ TQFP
ADC0804 887 NS 13+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
AM26LV31CDR 888 TI 15+ SOP-16
EPM2210F324I5N 888 ALTERA 16+ BGA
LTC1628IG 888 LINEAR 16+ SSOP
CD4012BE 899 TI 14+ BAD
G4PC30UD 900 IR 14+ TO-3P
PT2272-M6 900 PTC 14+ BAD
RHRP30120 900 FAIRCHILD 16+ TO-220
MP4211 910 TOSHIBA 16+ Na
AD7740YRMZ 911 ANZEIGE 13+ MSOP-8
FOD260L 922 FSC 15+ DIP-8
PIC16F916-I/SP 922 MIKROCHIP 16+ BAD

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