IRFB4229PBF-Energie Mosfet-Modul PDP SCHALTER N-Kanal MOSFET-Transistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
PDP-SCHALTER IRFB4229PbF
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Eigenschaften?
• Moderne Verfahrenstechnik?
• Die Schlüsselparameter, die für PDP optimiert werden, stützen, Energierückgewinnungs-und Durchlauf-Schalter-Anwendungen?
• Niedrige EPULSE-Bewertung, zum von Verlustleistung in PDP zu verringern stützen,
Energierückgewinnungs-und Durchlauf-Schalter-Anwendungen?
• Niedriges QG für schnelle Antwort?
• Hohe sich wiederholende Spitzenstrom-Fähigkeit für zuverlässige Operation?
• Fehlbetrag u. Anstiegszeiten für schnelle Schaltung?
• funktionierende 175°C Grenzschichttemperatur für verbesserte Rauheit?
• Sich wiederholende Lawinen-Fähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Schlüsselparameter
| VDS-Minute | 250 | V |
| Art VDS (Lawine). | 300 | V |
| Art RDS (AN). @ 10V | 38 | mΩ |
| IRP maximal @ TC = 100°C | 91 | |
| TJ maximal | 175 | °C |
Beschreibung???
Dieser HEXFET®-Energie MOSFET ist speziell für Sustain bestimmt; Energierückgewinnungs- u. Durchlaufschalteranwendungen in den Plasma-Anzeigefeldern. Dieser MOSFET verwendet die spätesten Verfahrenstechniken, um niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich und niedrige EPULSE-Bewertung zu erzielen. Zusätzliche Eigenschaften dieses MOSFET sind funktionierende 175°C Grenzschichttemperatur und hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen MOSFET ein in hohem Grade leistungsfähiges, robustes und zuverlässiges Gerät für PDP herzustellen, das Anwendungen fährt.
Absolute Maximalleistungen
| Parameter | Maximum. | Einheiten | |
|---|---|---|---|
| VGS | Tor-zu-Quellspannung | ±30 | V |
| Identifikation @ TC = 25°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 46 | |
| Identifikation @ TC = 100°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V | 33 | |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom | 180 | |
| IRP @ TC = 100°C | Sich wiederholender Spitzenstrom? | 91 | |
| PD @TC = 25°C | Verlustleistung | 330 | W |
| PD @TC = 100°C | Verlustleistung | 190 | W |
| Linearer herabsetzender Faktor | 2,2 | W/°C | |
| TJ TSTG | Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | -40 bis + 175 | °C |
| Löttemperatur für 10 Sekunden | 300 | °C | |
| Befestigung Drehmoment, 6-32 oder Schraube M3 | 10lbin (1.1Nm) | N |
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| HIP4080AIBZT | 3925 | INTERSIL | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| TNY266PN | 3970 | ENERGIE | 16+ | DIP7 |
| LM7912CT | 3990 | NS | 16+ | TO-220 |
| HCNW4503 | 3991 | AVAGO | 14+ | SOP8DIP8 |
| ICL7650SCBA | 3996 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
| LM2575HVT-ADJ | 3997 | NS | 14+ | TO-220 |
| MUR3020PT | 3997 | AUF | 16+ | TO-3P |
| IRFR5305 | 3998 | IR | 16+ | TO-252 |
| MJ802 | 3998 | AUF | 13+ | TO-3 |
| LBAT54XV2T1G | 3999 | AUF | 15+ | SOD-523 |
| VN10LFTA | 3999 | ZETEX | 16+ | SOT23 |
| 1N5341B | 4000 | AUF | 16+ | CASE17 |
| 1N5343B | 4000 | AUF | 14+ | DO-02 |
| 2SC2383 | 4000 | TOSHIBA | 14+ | TO-92 |
| 2SC3807 | 4000 | SANYO | 14+ | TO-126 |
| 2SK170BL | 4000 | TOSHIBA | 16+ | TO-92 |
| 74HC174D | 4000 | 16+ | SOP-16 | |
| 74LVC245AD | 4000 | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| AD8572ARZ | 4000 | ANZEIGE | 15+ | SOP8 |
| AT24C512C-SSHD-T | 4000 | ATEML | 16+ | SOP8 |
| BCV48 | 4000 | 16+ | SOT-89 | |
| BD137 | 4000 | St. | 14+ | TO-126 |
| BTS721L1 | 4000 | 14+ | SOP-20 | |
| CD4027BE | 4000 | TI | 14+ | BAD |
| CPC1017N | 4000 | CLARE | 16+ | SOP4 |
| IRF7307 | 4000 | IR | 16+ | SOP8 |
| IRFR210 | 4000 | IR | 13+ | SOT-252 |
| LT1963AEST-3.3 | 4000 | LT | 15+ | SOT-223 |
| MIC4424BN | 4000 | MICREL | 16+ | DIP8 |
| MICROSMD050F-2 | 4000 | TYCO | 16+ | SMD |

