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IRFB4229PBF-Energie Mosfet-Modul PDP SCHALTER N-Kanal MOSFET-Transistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
Höhepunkt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Einleitung

PDP-SCHALTER IRFB4229PbF

???????

Eigenschaften?

• Moderne Verfahrenstechnik?

• Die Schlüsselparameter, die für PDP optimiert werden, stützen, Energierückgewinnungs-und Durchlauf-Schalter-Anwendungen?

• Niedrige EPULSE-Bewertung, zum von Verlustleistung in PDP zu verringern stützen,

Energierückgewinnungs-und Durchlauf-Schalter-Anwendungen?

• Niedriges QG für schnelle Antwort?

• Hohe sich wiederholende Spitzenstrom-Fähigkeit für zuverlässige Operation?

• Fehlbetrag u. Anstiegszeiten für schnelle Schaltung?

• funktionierende 175°C Grenzschichttemperatur für verbesserte Rauheit?

• Sich wiederholende Lawinen-Fähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Schlüsselparameter

VDS-Minute 250 V
Art VDS (Lawine). 300 V
Art RDS (AN). @ 10V 38
IRP maximal @ TC = 100°C 91
TJ maximal 175 °C

Beschreibung???

Dieser HEXFET®-Energie MOSFET ist speziell für Sustain bestimmt; Energierückgewinnungs- u. Durchlaufschalteranwendungen in den Plasma-Anzeigefeldern. Dieser MOSFET verwendet die spätesten Verfahrenstechniken, um niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich und niedrige EPULSE-Bewertung zu erzielen. Zusätzliche Eigenschaften dieses MOSFET sind funktionierende 175°C Grenzschichttemperatur und hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen MOSFET ein in hohem Grade leistungsfähiges, robustes und zuverlässiges Gerät für PDP herzustellen, das Anwendungen fährt.

Absolute Maximalleistungen

Parameter Maximum. Einheiten
VGS Tor-zu-Quellspannung ±30 V
Identifikation @ TC = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 46
Identifikation @ TC = 100°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 33
IDM Pulsierter Abfluss-Strom 180
IRP @ TC = 100°C Sich wiederholender Spitzenstrom? 91
PD @TC = 25°C Verlustleistung 330 W
PD @TC = 100°C Verlustleistung 190 W
Linearer herabsetzender Faktor 2,2 W/°C
TJ TSTG Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich -40 bis + 175 °C
Löttemperatur für 10 Sekunden 300 °C
Befestigung Drehmoment, 6-32 oder Schraube M3 10lbin (1.1Nm) N

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
TNY266PN 3970 ENERGIE 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ TO-220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ SOP-8
LM2575HVT-ADJ 3997 NS 14+ TO-220
MUR3020PT 3997 AUF 16+ TO-3P
IRFR5305 3998 IR 16+ TO-252
MJ802 3998 AUF 13+ TO-3
LBAT54XV2T1G 3999 AUF 15+ SOD-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 AUF 16+ CASE17
1N5343B 4000 AUF 14+ DO-02
2SC2383 4000 TOSHIBA 14+ TO-92
2SC3807 4000 SANYO 14+ TO-126
2SK170BL 4000 TOSHIBA 16+ TO-92
74HC174D 4000 16+ SOP-16
74LVC245AD 4000 13+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
AD8572ARZ 4000 ANZEIGE 15+ SOP8
AT24C512C-SSHD-T 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ SOT-89
BD137 4000 St. 14+ TO-126
BTS721L1 4000 14+ SOP-20
CD4027BE 4000 TI 14+ BAD
CPC1017N 4000 CLARE 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ SOT-252
LT1963AEST-3.3 4000 LT 15+ SOT-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
MICROSMD050F-2 4000 TYCO 16+ SMD

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