Transistor hoher Leistung Pin Transistors BD249C-S NPN der Vorlagen-3 25A 125W
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor hoher Leistung Pin Transistors BD249C NPN der Vorlagen-3 25A 125W
Transistor NPN BD249C NPN High−Power
high−power Transistoren sind für general−purpose Endverstärker und zugeschaltete Anwendungen.
Eigenschaften
• Esd-Bewertungen: Maschinen-Modell, C; > menschlicher Körper- vonmodell 400 V, 3B; > 8000 V
• Epoxidtreffen UL 94 V−0 @ 0,125
• Pb−Free-Paket ist Available*
MAXIMALLEISTUNGEN
| Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
| Kollektor − Emitter-Spannung | Vceo | 100 | VDC |
| Kollektor − niedrige Spannung | Vcbo | 100 | VDC |
| Emitter − niedrige Spannung | Vebo | 5,0 | VDC |
| Kollektorstrom − ununterbrochene Spitze (Anmerkung 1) | IC |
25 40 |
ADC Apk |
| Niedriges gegenwärtiges − ununterbrochen | Ib | 5,0 | ADC |
| Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C setzen über 25°C herab | PD |
125 1,0 |
W W/°C |
| Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke |
TJ, Tstg |
– 65 bis +150 | °C |
| Unclamped induktive Belastung | Esb | 90 | mJ |
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
| Eigenschaft | Symbol | Maximal | Einheit |
|
Thermischer Widerstand, Junction−to−Case |
RøJC | 1,0 | °C/W |
|
Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient |
RøJA | 35,7 | °C/W |
Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät.
Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation
über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet.
Ausgedehnte Aussetzung zu den Drücken über empfohlen
Betriebsbedingungen beeinflussen möglicherweise Gerätzuverlässigkeit. 1. Impuls
Test: Impuls-Breite 300 s, Arbeitszyklus 2,0%. *
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC