Graben-Energie Mosfet IC IRF1404PBF brachte ultra niedrigen Auf-Widerstand voran
npn smd transistor
,silicon power transistors
Graben-Energie Mosfet IC IRF1404PBF brachte ultra niedrigen Auf-Widerstand voran
Beschreibung
7. Energie MOSFETs der Generations-HEXFETÆ vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen einschließlich Automobil.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Automobil--Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.
? Moderne Verfahrenstechnik?
Ultra niedriger Auf-Widerstand?
Dynamische dv-/dtbewertung? 175°C
Betriebstemperatur?
Schnelle Schaltung?
Völlig Lawine veranschlagt?
Automobil qualifiziert (Q101)?
Bleifrei
Anmerkungen über sich wiederholende Lawinen-Kurven, Tabellen 15, 16: (Für weitere Informationen, sehen Sie AN-1005 bei www.irf.com)
1. Lawinenausfallannahme: Lediglich tritt ein thermisches Phänomen und ein Ausfall bei einer Temperatur weit mehr als Tjmax auf. Dieses wird für jede Teilart validiert.
2. Sicherer Betrieb in der Lawine wird erlaubt, da langes asTjmax nicht überstiegen wird.
3. Gleichung unten basiert auf dem Stromkreis und Wellenformen gezeigt in den Zahlen 12a, 12b.
4. PD (Allee) = durchschnittliche Verlustleistung pro einzelnen Lawinenimpuls.
5. BV = bewertete Durchbruchsspannung (Faktor 1,3 erklärt Spannungszunahme während der Lawine).
6. Iav = zulässiger Lawinenstrom.
7. ∆T = zulässiger Aufstieg in der Grenzschichttemperatur, Tjmax nicht übersteigen (nahm als 25°C im Abbildung 15, 16 an). tav = durchschnittliche Zeit in der Lawine. D- = Arbeitszyklus in der Lawine = im tav ·f ZthJC (D, tav) = vorübergehender thermischer Widerstand, sehen Zahl 11)
| Parameter | Art | Maximum. | Einheiten | |
| RθJC | Kreuzung-zu-Fall | -- | 0,45 | °C/W |
| RθCS | Fall-zu-Wanne, flache, eingefettete Oberfläche | 0,50 | --- | |
| RθJA | Kreuzung-zu-umgebend | -- | 62 |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC