Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
npn smd transistor
,silicon power transistors
Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V
Energie MOSFET IXFQ60N50P3 Ich D25 = 60A
IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ RDS (an)
N-Kanal-Anreicherungstyp
Lawine veranschlagt
Schneller tatsächlicher Gleichrichter
Symbol | Testbedingungen | Maximalleistungen |
VDSS VDGR |
TJ = 25°C zu 150°C TJ = 25°C zu 150°C, RGS = 1MΩ |
500 V 500 V |
VGSS VGSM |
Ununterbrochen Ausgleichstrom |
± 30 V ± 40 V |
ICH D25 ICH DM |
TC = 25°C TC = 25°C, Pulse Width Limited durch TJM |
60 A 150 A |
ICH A EAS |
TC = 25°C TC = 25°C |
30 A 1 J |
dv/dt | IST ≤ IDM, VDD-≤ VDSS, TJ-≤ 150°C | 35 V/ns |
PD | TC = 25°C | W 1040 |
TJ TJM Tstg |
-55… °C +150 °C 150 -55… °C +150 |
|
Zeitlimit Tsold |
1.6mm (0.062in.) vom Argument für 10s Plastikkörper für 10 Sekunden |
°C 300 °C 260 |
Md | Befestigung Drehmoment (TO-247 u. TO-3P) | 1.13 / 10 Nm/lb.in. |
Gewicht |
TO-268 TO-3P TO-247 |
4,0 g 5,5 g 6,0 g |
Eigenschaften
Schneller tatsächlicher Gleichrichter
Lawine veranschlagt
Niedriges RDS (AN) und QG
Niedrige Paket-Induktanz
Vorteile
Dichte der hohen Leistung
Einfach anzubringen
Platzersparnisse
Anwendungen
Schalter-Modus und Resonanz-Modus-Stromversorgung
Laser-Fahrer DC-DC Konverter-z
Wechselstrom- und DC-Motorantriebe
Robotik-und Servokontrollen
Abb. 1. Ausgangskennlinien @ TJ = 25ºC Abb. 2. verlängerte Ausgangskennlinien @ TJ = 25ºC
Abb. 3. Ausgangskennlinien @ TJ = 125ºC Abb. 4. RDS (an) normalisiert zu Wert Identifikation = 30A gegen Kreuzung Temperatur
Abb. 5. RDS (an) normalisiert zu Wert Identifikation = 30A gegen 6. maximaler Abfluss gegenwärtig gegen Fall Abfluss CurrentFig. Temperatur
Abb. 7. eingegebener Eintritt Abb. 8. Transconductance