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Haus > produits > elektronische IC-Chips > Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3

Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3

Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Features:
Fast Intrinsic Rectifier ,Avalanche Rated ,Low RDS(ON) and QG
IXFQ:
TO-3P
IXFH:
TO-247
Vorteile:
Dichte z z-hoher Leistung einfach, z-Platzersparnisse anzubringen
Applications:
Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies z DC-DC Converters z Laser Drivers z AC and DC Motor Drives
Weight:
TO-268 4.0 g TO-3P 5.5 g TO-247 6.0 g
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3

Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V

Energie MOSFET IXFQ60N50P3 Ich D25 = 60A

IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ RDS (an)

N-Kanal-Anreicherungstyp

Lawine veranschlagt

Schneller tatsächlicher Gleichrichter

Symbol Testbedingungen Maximalleistungen

VDSS

VDGR

TJ = 25°C zu 150°C

TJ = 25°C zu 150°C, RGS = 1MΩ

500 V

500 V

VGSS

VGSM

Ununterbrochen

Ausgleichstrom

± 30 V

± 40 V

ICH D25

ICH DM

TC = 25°C

TC = 25°C, Pulse Width Limited durch TJM

60 A

150 A

ICH A

EAS

TC = 25°C

TC = 25°C

30 A

1 J
dv/dt IST ≤ IDM, VDD-≤ VDSS, TJ-≤ 150°C 35 V/ns
PD TC = 25°C W 1040

TJ

TJM

Tstg

-55… °C +150

°C 150

-55… °C +150

Zeitlimit

Tsold

1.6mm (0.062in.) vom Argument für 10s

Plastikkörper für 10 Sekunden

°C 300

°C 260
Md Befestigung Drehmoment (TO-247 u. TO-3P) 1.13 / 10 Nm/lb.in.
Gewicht

TO-268

TO-3P

TO-247

4,0 g

5,5 g

6,0 g

Eigenschaften

Schneller tatsächlicher Gleichrichter

Lawine veranschlagt

Niedriges RDS (AN) und QG

Niedrige Paket-Induktanz

Vorteile

Dichte der hohen Leistung

Einfach anzubringen

Platzersparnisse

Anwendungen

Schalter-Modus und Resonanz-Modus-Stromversorgung

Laser-Fahrer DC-DC Konverter-z

Wechselstrom- und DC-Motorantriebe

Robotik-und Servokontrollen

Abb. 1. Ausgangskennlinien @ TJ = 25ºC Abb. 2. verlängerte Ausgangskennlinien @ TJ = 25ºC

Abb. 3. Ausgangskennlinien @ TJ = 125ºC Abb. 4. RDS (an) normalisiert zu Wert Identifikation = 30A gegen Kreuzung Temperatur

Abb. 5. RDS (an) normalisiert zu Wert Identifikation = 30A gegen 6. maximaler Abfluss gegenwärtig gegen Fall Abfluss CurrentFig. Temperatur

Abb. 7. eingegebener Eintritt Abb. 8. Transconductance

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