Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Höhepunkt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Einleitung
Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP
DarliCM GROUPon 2SB1560
Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP (Ergänzung, zum von 2SD2390 zu schreiben)
| PIN | BESCHREIBUNG |
| 1 | Basis |
| 2 | Kollektor; angeschlossen an Befestigungsplatte |
| 3 | Emitter |
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | WERT | EINHEIT |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | Offener Emitter | -160 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | Offene Basis | -150 | V |
| VEBO | Emitter-Basisspannung | Open-Collector | -5 | V |
| IC | Kollektorstrom | -10 | ||
| IB | Niedriger Strom | 1 | ||
| PC | Kollektorverlustleistung | TC =25℃ | 100 | W |
| Tj | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ | |
| Tstg | Lagertemperatur | -55~150 | ℃ |
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | MINUTE | ART. | Max | EINHEIT |
| V (BR) CEO | Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | IC =-30mA; IB =0 | -150 | V | ||
| VCEsat | Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | IC =-7A; IB =-7mA | -2,5 | V | ||
| VBEsat | Grundsendersättigungsspannung | IC =-7A; IB =-7mA | -3,0 | V | ||
| ICBO | Kollektorsperrstrom | VCB =-160V; IE =0 | -100 | μA | ||
| IEBO | Emittersperrstrom | VEB =-5V; IC =0 | -100 | μA | ||
| hFE | Gleichstromverstärkung | IC =-7A; VCE =-4V | 5000 | |||
| Pfeiler | Ausgangskapazität | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 230 | PF | ||
| fT | Übergangsfrequenz | IC =-2A; VCE =-12V | 50 | MHZ | ||
| Schaltzeiten | ||||||
| Tonne | Drehung-auf Zeit |
IC =-7A; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
| Ts | Lagerzeit | 3,0 | μs | |||
| tf | Abfallzeit | 1,2 | μs | |||
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
PAKET-ENTWURF
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