Neues u. ursprüngliches Silikon NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Basis-Spannung:
160v
Collector-emitter voltage:
150V
Emitter-Basisspannung:
5V
Kollektorstrom:
10A
Base current:
1A
Kollektorverlustleistung:
100W
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Silikon NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
BESCHREIBUNG
·Mit TO-3PN Paket
·Ergänzung, zum von 2SB1560 zu schreiben
·Hohe Gleichstromverstärkung
ANWENDUNGEN
·Audio, Regler und universeller Zweck
FESTSTECKEN
| PIN | BESCHREIBUNG |
| 1 | Basis |
| 2 |
Kollektor; angeschlossen an Befestigungsplatte |
| 3 | Emitter |
EIGENSCHAFTEN Tj=25℃ wenn nicht anders angegeben
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | MINUTE | ART. | Max | EINHEIT |
| V (BR) CEO | Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | IC =30mA; IB =0 | 150 | V | ||
| VCEsat | Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | IC =7A; IB =7mA | 2,5 | V | ||
| VBEsat | Grundsendersättigungsspannung | IC =7A; IB =7mA | 3,0 | V | ||
| ICBO | Kollektorsperrstrom | VCB =160V IE =0 | 100 | μA | ||
| IEBO | Emittersperrstrom | VEB =5V; IC =0 | 100 | μA | ||
| hFE | Gleichstromverstärkung | IC =7A; VCE =4V | 5000 | |||
| Pfeiler | Ausgangskapazität | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 95 | PF | ||
| fT | Übergangsfrequenz | IC =2A; VCE =12V | 55 | MHZ | ||
| Schaltzeiten | ||||||
| Tonne | Drehung-auf Zeit |
IC =7A; RL =10Ω IB1 = - IB2 =7MA VCC =70V |
0,5 | μs | ||
| Ts | Lagerzeit | 10,0 | μs | |||
| tf | Abfallzeit | 1,1 | μs | |||
hFE Klassifikationen
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
PAKET-ENTWURF
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