Silikon-Transistor-Energie Mosfet-Transistor 2SC5200 NPN Epitaxial-
npn smd transistor
,multi emitter transistor
2SC5200/FJL4315
Epitaxial- Silikon-Transistor NPN
Anwendungen
• KlaCM GROUPreuer Audioausgang-Verstärker
• Universeller Endverstärker
Eigenschaften
• Hohe gegenwärtige Fähigkeit: IC = 15A.
• Ableitung der hohen Leistung: 150watts.
• Hochfrequenz: 30MHz.
• Hochspannung: VCEO=230V
• Breites S.O.A für zuverlässige Operation.
• Ausgezeichnete Gewinn-Linearitäten für niedriges THD.
• Ergänzung zu 2SA1943/FJL4215.
• Thermische und elektrische Gewürzmodelle sind verfügbar.
• Der gleiche Transistor ist auch herein verfügbar:
-- TO3P-Paket, 2SC5242/FJA4313: 130 Watt
-- TO220 Paket, FJP5200: 80 Watt
-- TO220F-Paket, FJPF5200: 50 Watt
Absolutes maximales Ratings* Ta = 25°C wenn nicht anders vermerkt
Symbol | Parameter | Bewertungen | Einheiten |
BVCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 230 | V |
BVCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 230 | V |
BVEBO | Emitter-Basis-Spannung | 5 | V |
IC | Kollektorstrom (DC) | 15 | |
IB | Niedriger Strom | 1,5 | |
PD |
Gesamtgerät-Ableitung (TC =25°C) Setzen Sie über 25°C herab |
150 1,04 |
W W/°C |
TJ, TSTG | Kreuzung und Lagertemperatur | - 50 | +150 | °C |
* diese Bewertungen sind Grenzwerte, über denen die Brauchbarkeit möglicherweise jedes möglichen Halbleiterbauelements gehindert wird.
Thermisches Characteristics* Ta=25°C wenn nicht anders vermerkt
Symbol | Parameter | Maximal | Einheiten |
RθJC | Thermischer Widerstand, zu umkleiden Kreuzung | 0,83 | °C/W |
* Gerät angebracht an der minimalen Auflagengröße
hFE Klassifikation
Klassifikation | R | O |
hFE1 | 55 | 110 | 80 | 160 |
Typische Eigenschaften
Gehäuseabmessungen